类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N5136具备多项优良特性，适合广泛的应用场景。其高耐压能力（100V VDS）使其适用于多种中高电压系统，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器和负载开关。此外，该MOSFET的导通电阻较低（最大0.65Ω），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其栅极阈值电压在2V至4V之间，适配多种逻辑电平控制电路，如微控制器或PWM控制器，无需额外的电平转换电路即可驱动。
　　2N5136的TO-220封装不仅便于安装和散热管理，还增强了器件在高功率工作环境下的可靠性。该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力，有助于防止因温度过高而导致的失效。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-AC逆变器和功率放大器。
　　由于其5A的最大漏极电流能力，2N5136可用于驱动小型电机、继电器、LED照明系统以及电池充电电路等负载设备。该器件的稳定性能和经济性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子中的常用功率MOSFET之一。

2N5136适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、DC-AC逆变器、电机驱动器、LED驱动电路、电池充电器、继电器驱动电路、负载开关、功率放大器及工业控制系统。在这些应用中，2N5136能够提供可靠的开关性能和较高的系统效率。

IRFZ44N, 2N6755, BUZ11, FDPF5N10, FQP5N10