型号：2N50L-TA3-T
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：100mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：400mA
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：6.5Ω @ VGS = 10V；8.5Ω @ VGS = 5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：27pF @ VDS = 10V, f = 1MHz
　　输出电容(Coss)：14pF @ VDS = 10V, f = 1MHz
　　反向传输电容(Crss)：4.0pF @ VDS = 10V, f = 1MHz
　　栅极电荷(Qg)：4.8nC @ VDS = 10V, ID = 50mA
　　功耗(Pd)：200mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

2N50L-TA3-T采用先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构通过在硅片表面刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的有效导电通道数量，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提升电流处理能力。该器件在VGS = 10V时可实现低至6.5Ω的RDS(on)，而在更常见的5V驱动条件下仍能保持8.5Ω的低阻状态，这使其非常适合用于需要高效能量转换的低压系统中。沟道设计还优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性与可靠性。
　　该MOSFET具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了对过压瞬态的耐受能力，避免因控制信号波动导致的栅氧层损坏。其阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在3.3V甚至更低逻辑电平下也能可靠开启，兼容现代微控制器和数字逻辑电路的输出电平。这一特性使得2N50L-TA3-T可以无缝集成到嵌入式控制系统中，作为LED驱动、继电器控制或电源路径管理的开关元件。
　　器件的寄生电容参数经过优化，输入电容仅为27pF，在高频开关应用中减少了驱动损耗并提升了响应速度。同时，较低的栅极电荷（Qg = 4.8nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于降低整体系统功耗，特别适用于电池供电设备。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），而且具备良好的热传导性能，能够在有限空间内实现稳定的散热表现。尽管最大功耗仅为200mW，但在自然对流条件下仍能满足大多数便携式设备的热管理需求。
　　此外，2N50L-TA3-T通过了AEC-Q101车规级可靠性认证的部分测试项目，表明其在温度循环、高温反偏等严苛环境下仍能维持稳定性能，因此也可用于汽车电子中的非动力总成类模块，如车内照明控制或传感器电源开关。

2N50L-TA3-T因其小型化封装和优良的开关特性，广泛应用于多种低功率电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的背光驱动或外设供电管理。在这些应用中，该MOSFET能够以极低的静态功耗实现快速响应的通断控制，延长电池续航时间。
　　在工业自动化和测量仪器领域，2N50L-TA3-T常被用作模拟开关或数字信号路由的选择器件。由于其低导通电阻和高关断阻抗，可在多路复用电路中有效隔离信号路径，减少串扰并提高测量精度。此外，它也适用于传感器模块的电源门控，实现按需供电以降低系统待机功耗。
　　在通信设备中，该器件可用于射频前端或基带电路中的偏置控制，例如Wi-Fi模块或蓝牙芯片组的使能信号切换。其快速开关能力和低电容特性有助于减少信号失真和延迟。
　　汽车电子方面，虽然其电流容量有限，但2N50L-TA3-T仍可用于车身控制模块中的小功率负载驱动，如车灯指示、蜂鸣器控制或CAN总线终端电阻切换。其宽温工作范围（-55°C至+150°C）确保在极端气候条件下依然稳定运行。
　　此外，教育实验平台和原型开发板也普遍采用此类SOT-23封装MOSFET，便于学生和工程师进行电路验证与功能测试。其引脚排列标准、数据手册完整，支持快速上手与调试。

2N7002K-T14,T1
　　DMG2302U-K
　　FDS667AZ