时间:2025/12/27 8:10:17
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2N50G-TF3-T是一款由台湾半导体公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, TSMC)或其他授权制造商生产的通用型硅整流二极管。该器件采用先进的平面技术和玻璃钝化工艺,确保了高可靠性与稳定的电气性能。作为一款标准的整流二极管,2N50G-TF3-T广泛应用于电源转换、交流到直流变换、极性保护以及信号处理等电路中。其封装形式为DO-15或类似的小型轴向引线封装,具有良好的散热性能和机械强度,适用于通孔插装(Through-hole)工艺,在工业控制、消费电子、照明电源、适配器和家用电器等多种领域均有广泛应用。
该型号中的“2N”是JEDEC(联合电子设备工程委员会)标准下的晶体管命名前缀,通常用于分立半导体器件;“50G”表示其最大反向重复电压(VRRM)可达50伏特,且“G”可能代表其电压等级或产品系列标识;“TF3-T”则可能是制造商特定的批次代码、环保标识或包装形式说明,例如表示无铅(Pb-free)、符合RoHS指令的环保版本,并采用编带包装(Tape & Reel),适合自动化贴片生产流程。因此,2N50G-TF3-T不仅具备基本的整流功能,还满足现代电子产品对环保和可制造性的要求。
类型:硅整流二极管
最大重复反向电压(VRRM):50V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值非重复正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半波)
最大正向电压降(VF):1.1V @ 1A
最大反向漏电流(IR):5μA @ 50V
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
储存温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-15
引脚数量:2
反向恢复时间(trr):典型值4μs
2N50G-TF3-T作为一种通用整流二极管,具备优异的电气稳定性和环境适应能力。其核心结构采用PN结硅材料制造,通过精确掺杂和高温扩散工艺形成高质量的结区,从而实现低正向导通压降与可控的反向击穿特性。在正常工作条件下,该器件可在最高50V的反向电压下可靠阻断电流,同时支持高达1A的连续平均正向电流输出,瞬态浪涌电流承受能力达到30A,使其能够应对电源启动时的冲击电流,提升了系统整体的耐用性与安全性。
该二极管的最大正向压降为1.1V(在1A电流下),这一数值处于同类产品的合理范围内,意味着在导通状态下功耗较低,有助于减少热量积累,提升能效表现。同时,其反向漏电流极小,典型值仅为5μA,在高温环境下仍能保持良好的绝缘性能,防止不必要的能量损耗和误动作。此外,器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,表明其可在极端高低温环境中稳定运行,适用于户外设备、汽车电子及工业控制系统等严苛应用场景。
2N50G-TF3-T采用DO-15金属外壳玻璃封装,具有良好的气密性和抗湿性能,有效防止外部污染物侵入导致性能退化。其轴向引线设计便于手工焊接和自动插件机装配,广泛兼容传统PCB组装工艺。虽然其反向恢复时间较长(典型值4微秒),不适合高频开关应用(如SMPS中的快速整流),但在工频(50/60Hz)整流、桥式整流电路、直流极性保护、反接保护、续流二极管等低频场合表现良好。
由于该型号符合RoHS环保标准且不含铅(Pb-free),符合现代绿色电子产品的设计趋势。其“TF3-T”后缀通常表示编带包装,便于SMT生产线使用送料器进行自动贴装,提高了生产效率和一致性。综合来看,2N50G-TF3-T是一款性价比高、可靠性强、易于获取的基础元器件,适合大批量生产和长期服役的应用需求。
2N50G-TF3-T主要用于各类低压直流电源系统中的整流环节,常见于单相桥式整流电路中作为四个桥臂之一,将交流输入转换为脉动直流电压,配合滤波电容和平滑电路后供给后续稳压模块使用。它也广泛应用于适配器、充电器、LED驱动电源、小型家电(如风扇、咖啡机、微波炉控制板)中的辅助电源部分,起到基本的AC-DC转换作用。
在工业控制领域,该二极管可用于PLC输入模块的极性保护电路,防止外部传感器或执行器接线错误导致设备损坏。同时,它也可作为继电器线圈或电磁阀的续流二极管(Flyback Diode),抑制感性负载断开时产生的反向电动势,保护驱动晶体管免受高压击穿。
在电池供电设备中,2N50G-TF3-T常被用作防反接保护元件,串联在电源路径中,确保只有正确极性连接时才能导通供电,避免因电池反装造成主板烧毁。此外,它还可用于信号整流、检波电路以及简单的电压钳位和逻辑电平隔离电路中。
尽管其恢复速度较慢,不适用于高频开关电源主回路,但在成本敏感、频率较低的应用中仍具有显著优势。其坚固的结构和宽温工作能力也使其适用于汽车电子附件、农业机械控制单元和户外照明控制系统等恶劣环境下的电力管理场景。
1N4007
1N4004
MUR160
SR105