您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AUIRF7313Q

AUIRF7313Q 发布时间 时间:2025/6/14 12:08:24 查看 阅读:5

AUIRF7313Q 是一款N沟道功率MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用IR(现为Infineon Technologies)的先进工艺制造,具有出色的开关性能和低导通电阻。其坚固的设计使其能够承受恶劣的汽车环境,并满足严格的可靠性标准。
  该器件广泛应用于汽车电子系统的电源管理、电机驱动和负载切换等领域。

参数

型号:AUIRF7313Q
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  ID(连续漏极电流):89A
  PD(总功耗):206W
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.5V(最大值)
  封装:TO-263-3(D2PAK)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

AUIRF7313Q 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于提高效率并减少发热。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车环境中可靠运行。
  4. 支持高频开关操作,适用于DC-DC转换器和其他开关模式电源。
  5. 提供快速开关速度,降低开关损耗。
  6. 增强型雪崩能力和短路耐受能力,提高了系统的鲁棒性。
  7. 无铅封装,符合RoHS环保要求。

应用

AUIRF7313Q 通常用于以下应用领域:
  1. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  2. 电机控制和驱动电路。
  3. DC-DC转换器和逆变器。
  4. 开关电源和电池管理系统。
  5. 照明系统中的LED驱动。
  6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

IRF7313, BUK7Y3R0-30E

AUIRF7313Q推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AUIRF7313Q参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 6.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)755pF @ 25V
  • 功率 - 最大值2.4W
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC