AUIRF7313Q 是一款N沟道功率MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用IR(现为Infineon Technologies)的先进工艺制造,具有出色的开关性能和低导通电阻。其坚固的设计使其能够承受恶劣的汽车环境,并满足严格的可靠性标准。
该器件广泛应用于汽车电子系统的电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
型号:AUIRF7313Q
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
ID(连续漏极电流):89A
PD(总功耗):206W
VGS(th)(栅极阈值电压):2.5V(最大值)
封装:TO-263-3(D2PAK)
工作温度范围:-55℃至175℃
AUIRF7313Q 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于提高效率并减少发热。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
3. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车环境中可靠运行。
4. 支持高频开关操作,适用于DC-DC转换器和其他开关模式电源。
5. 提供快速开关速度,降低开关损耗。
6. 增强型雪崩能力和短路耐受能力,提高了系统的鲁棒性。
7. 无铅封装,符合RoHS环保要求。
AUIRF7313Q 通常用于以下应用领域:
1. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
2. 电机控制和驱动电路。
3. DC-DC转换器和逆变器。
4. 开关电源和电池管理系统。
5. 照明系统中的LED驱动。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF7313, BUK7Y3R0-30E