晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：80-600（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

2N5089/D29Z-18 晶体管具有多个关键特性，使其适用于多种放大应用。首先，它具有高电流增益（hFE），其范围在80至600之间，具体取决于器件的等级，这使其非常适合用于高增益放大器电路。其次，该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，使其能够在较高频率下工作，适合射频和音频应用。
　　此外，该器件的噪声系数较低，这在前置放大器等对信号噪声敏感的应用中尤为重要。它的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。封装采用标准的TO-92形式，不仅便于安装和焊接，还能提供良好的散热性能，以确保器件在长时间运行时的可靠性。
　　另一个重要特性是其较高的集电极-发射极击穿电压（30V），这使得2N5089在电源波动较大的电路中仍能保持稳定工作。同时，最大集电极电流为100mA，足以应对大多数低功率放大需求。综合这些特性，2N5089/D29Z-18 是一款性能优异且适用性广泛的晶体管。

2N5089/D29Z-18 晶体管广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要高增益和低噪声放大的场景。常见的应用包括音频前置放大器、射频放大器、信号发生器以及各种低功率放大电路。此外，该晶体管也常用于模拟电路中的开关和信号调节功能。
　　在音频设备中，2N5089 被广泛用作前置放大器晶体管，因为它能够提供良好的增益和低噪声性能，有助于提高音频信号的清晰度。在射频电路中，由于其100MHz的过渡频率，它能够有效放大高频信号，适用于无线通信和接收器前端设计。
　　此外，该晶体管也常用于各种传感器信号放大电路，例如温度传感器、光敏传感器等，能够将微弱的传感器信号放大到可测量的范围。在电子仪器和测试设备中，2N5089 也常用于构建高精度的模拟放大电路。

2N3904, BC547, 2N2222