2N503A是一种NPN型高频小功率晶体管,广泛用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管采用TO-18金属封装,适用于需要良好高频性能的电子设备中。其设计使其在高频条件下仍能保持良好的增益和稳定性。
晶体类型:NPN型晶体管
封装类型:TO-18
最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:30V
最大基极-发射极电压:5V
最大功耗:100mW
频率范围:250MHz
电流增益(hFE):80-600(根据工作条件变化)
过渡频率(fT):100MHz
2N503A晶体管具有优异的高频特性,使其适用于射频放大器、中频放大器以及开关电路等高频应用。其TO-18金属封装不仅提供了良好的散热性能,还能减少高频信号的干扰,提高电路的稳定性。
该晶体管的工作温度范围较宽,通常可以在-55°C至+150°C之间正常工作,适合各种环境条件下的应用。此外,2N503A的电流增益(hFE)根据不同的工作电流和电压条件可以在80至600之间变化,提供了灵活的设计选择。
在高频应用中,2N503A的过渡频率(fT)达到100MHz,这意味着它可以在高频条件下保持较高的增益表现。这种特性使其成为无线通信设备、射频接收器和高频振荡器的理想选择。
由于其良好的线性度和低失真特性,2N503A在模拟信号放大方面也表现出色,尤其适用于需要高保真放大的电路。
2N503A常用于射频放大器、中频放大器、开关电路、振荡器和低噪声放大器等高频电子电路中。它在通信设备、广播接收器、测试仪器以及工业控制系统中都有广泛应用。
2N3904, 2N2222, BF199