晶体管类型：NPN
　　封装类型：TO-18
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极-基极电压：30 V
　　最大功耗：300 mW
　　最大工作频率：100 MHz
　　电流增益带宽积（fT）：25 MHz
　　噪声系数：4 dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：在2 mA集电极电流下为55-800
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2N5016晶体管具有多项适用于高频应用的特性。首先，其NPN结构和TO-18封装提供了良好的热稳定性和机械强度，适用于各种高频电子环境。其次，该器件具备较低的噪声系数，使其在射频和中频放大器中表现出色，能够有效提升信号的清晰度和接收灵敏度。此外，2N5016的电流增益（hFE）范围较宽，可以在不同偏置条件下保持稳定的放大性能。它的最大工作频率可达100 MHz，适合用于早期的通信设备和射频电路设计。同时，该晶体管的功率耗散较低，有助于减少电路的整体功耗并提高能效。由于其良好的高频响应和稳定的工作特性，2N5016曾广泛应用于模拟通信系统和射频前端电路中。

2N5016主要应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路，特别适合用于低噪声前置放大器和信号增强电路。它常见于早期的无线电接收器、通信设备、无线调制解调器、混频器模块以及频率合成器等电子系统中。此外，该晶体管也可用于低功率音频放大电路或作为开关元件在高频控制电路中使用。由于其高频性能稳定且封装可靠，2N5016也常被用于实验教学和电子爱好者项目中进行射频信号放大和处理。在工业控制和测量设备中，该晶体管可作为信号调节和增益控制的关键组件。

2N3904, 2N2222, BF199