类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：5A
　　漏极-源极电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N5015A 具备多项优异特性，适用于中高功率应用。首先，其漏极-源极电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种开关电源和电机驱动电路。漏极电流可达5A，满足中等功率负载的需求。
　　该器件的导通电阻约为0.65Ω，在同类产品中表现良好，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，2N5015A 的栅极驱动电压范围为±20V，确保其在不同控制电路中稳定工作。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET的热阻较低，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。2N5015A 还具备较强的抗雪崩能力，增强了器件的可靠性。

2N5015A 广泛用于多种功率控制电路。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流电机驱动器、逆变器、UPS系统以及各种功率放大电路。由于其高耐压和中等电流能力，该器件特别适用于需要中高电压但电流要求适中的应用场景。
　　在开关电源中，2N5015A 可作为主开关器件或同步整流器使用，提供高效的能量转换。在电机控制电路中，它可用于H桥结构，实现正反转控制。此外，该MOSFET也常用于电池管理系统、LED驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　由于其良好的可靠性和热稳定性，2N5015A 也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等。

IRF540N, 2N6755, FQP5N60, BUZ11