2N4991 时间：2025/8/7 0:36:28 阅读：23

2N4991是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率放大、开关电源和电机控制等高电流应用中。该器件具有较高的电流容量和较低的导通电阻，使其适用于多种功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.6Ω（典型值）
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2N4991 MOSFET具备多个关键特性，使其适用于广泛的功率电子应用。首先，它的低导通电阻确保了在高电流操作时的效率，减少能量损耗和热量产生。其次，该器件具有较高的耐压能力，最大漏-源电压可达100V，使其适用于中高压应用，如DC-DC转换器、开关电源和负载开关控制。此外，2N4991的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平控制，便于与微控制器或其他数字电路集成。
　　在热性能方面，该器件采用TO-220封装，具有良好的散热能力，能够承受较高的功耗（最大40W）。该封装也便于安装在散热片上，以提高整体系统的热稳定性。此外，其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使2N4991适合在恶劣环境下运行，例如工业控制系统、汽车电子设备和户外电源装置。
　　由于其高可靠性和耐用性，2N4991也被广泛用于电机驱动、逆变器和电池管理系统中。该器件的快速开关特性有助于提高系统效率并减少开关损耗，适用于高频操作环境。此外，其内置的静电放电（ESD）保护机制有助于提高器件在复杂电磁环境下的稳定性。