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2N4922 发布时间 时间:2025/7/25 18:57:37 查看 阅读:7

2N4922是一种双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它主要用于中等功率放大和开关应用。该晶体管由美国公司制造,符合军用标准,因此在可靠性要求较高的场合中广泛应用。2N4922晶体管采用金属封装,具有良好的散热性能,适合在高可靠性和稳定性要求的电路中使用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(Vceo):80V
  最大集电极电流(Ic):1A
  最大功耗(Ptot):30W
  增益(hFE):50-250(根据工作条件不同)
  频率响应:25MHz(典型值)
  封装类型:TO-3金属封装
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2N4922晶体管的主要特性包括高可靠性、良好的散热性能和较高的功率处理能力。由于其采用TO-3金属封装,能够有效地将热量散发出去,从而保证晶体管在高功率工作时仍能保持稳定。此外,该晶体管的增益范围较宽,通常在50到250之间,这使得它在多种放大和开关电路中具有良好的适应性。其频率响应为25MHz,适用于中频放大器和开关电路。2N4922还符合军用标准,这意味着它在极端环境条件下(如高温、低温、震动和湿度)也能保持良好的性能和稳定性。
  该晶体管的另一重要特性是其高耐压能力,最大集电极-发射极电压可达80V,使其能够在较高电压的电路中使用。同时,其最大集电极电流为1A,最大功耗为30W,表明它能够处理相对较大的电流和功率,适合用于需要较高功率输出的应用场景。

应用

2N4922晶体管广泛应用于需要较高功率处理能力和可靠性的电路中。常见应用包括音频放大器、电源开关电路、逆变器、马达驱动电路以及各种工业控制设备。由于其符合军用标准,2N4922也常用于军事、航空航天和其他对可靠性要求较高的领域。此外,该晶体管也可用于通信设备中的中频放大电路,提供稳定的信号放大功能。

替代型号

2N4923, 2N5685

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2N4922参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min40
  • 配置Single
  • 最大工作频率3 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-225-3
  • 封装Bulk
  • 集电极连续电流3 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散30 W
  • 工厂包装数量500