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2N4391 发布时间 时间:2025/4/29 18:04:11 查看 阅读:2

2N4391是一种双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),属于PNP型。它通常用于低功率的放大和开关应用。该晶体管具有较高的增益和较低的噪声特性,适合音频和射频电路中的信号放大任务。
  2N4391在业余无线电爱好者、实验者和工程师中较为常见,适用于需要高频率性能的小信号应用场景。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):0.2A
  直流电流增益(hFE):最小值60,典型值150
  频率响应:最大频率(fT)为250MHz
  功耗(Ptot):300mW
  封装类型:TO-18

特性

2N4391的主要特点是其高频性能良好,能够在高达250MHz的频率下工作,这使其非常适合射频相关应用。此外,它的低噪声特性和稳定的增益也使其成为音频信号放大的理想选择。
  由于是PNP型晶体管,2N4391可以在电源负端接地的情况下使用,适合某些特定电路设计需求。其小信号能力意味着它更适合处理较小幅度的电信号而非大功率负载。
  晶体管的封装形式为TO-18,这种金属封装有助于散热,并且在一些早期设计中非常常见。虽然TO-18封装现在逐渐被更现代化的塑料封装所取代,但其可靠性依然受到认可。

应用

2N4391广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
  1. 音频放大器中的前置放大级或缓冲级。
  2. 射频电路中的小信号放大器。
  3. 振荡器和混频器电路。
  4. 低功率开关应用。
  5. 测试与测量设备中的信号调节模块。
  6. 业余无线电通信设备中的信号增强部分。
  7. 教学实验板和DIY项目中的基础元件。

替代型号

2N3906
  BC557
  MPS2907

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2N4391参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 漏源电压 VDS40 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)50 mA to 150 mA
  • 闸/源击穿电压40 V
  • 漏极连续电流0.1 nA
  • 配置Single
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-18
  • 功率耗散1.8 W
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)30 Ohms
  • 工厂包装数量2000