时间：2025/8/24 11:54:52
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2N4382是一种常用的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率放大器、开关电源、马达控制以及其他需要高效能功率控制的电路中。该晶体管具有高电压和大电流的承载能力，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（典型值）
功率耗散（PD）：70W
工作温度范围：-55°C至+175°C
2N4382具有优异的导通性能和低导通电阻，这使得它在导通状态下能够保持较低的功耗。其高耐压能力（100V）使其适用于多种中高电压应用。该器件还具有较高的开关速度，适合用于高频开关电路。此外，2N4382采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性与可靠性。
该MOSFET的栅极驱动设计较为简单，能够在较低的栅极电压下实现良好的导通状态。其±20V的栅源电压容限也增加了在复杂电路环境中的稳定性。此外，2N4382的热稳定性较好，适合在高温环境下运行。
2N4382常用于DC-DC转换器、H桥电机驱动电路、电源管理模块、逆变器以及各种高功率脉宽调制（PWM）控制系统中。此外，它也适用于音频放大器的功率输出部分，能够提供较大的输出功率并保持良好的效率。
IRF540, FDPF6N60, 2N6764
