时间：2025/8/7 4:58:13
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2N4365是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛用于低噪声前置放大器、模拟开关和信号处理电路中。作为一款经典的JFET器件，2N4365以其高输入阻抗、低噪声系数和良好的线性性能著称，适合于音频放大、测量仪器和高频信号处理等应用场景。该器件采用TO-92封装，结构紧凑，便于在各类电子设备中使用。
类型：N沟道JFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：-25V
漏极电流（IDSS）：10mA（典型值）
跨导（gm）：4000μS（典型值）
输入电容（Ciss）：7pF（典型值）
噪声系数（NF）：1.5dB（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
2N4365具有多项优异的电气特性，使其在低频和中频放大电路中表现出色。首先，其高输入阻抗特性（典型值可达10^12Ω）使其非常适合用于高阻抗信号源的接口电路，避免对前级电路造成负载影响。其次，该器件的低噪声系数（NF约为1.5dB）使其在前置放大器和音频放大电路中具有出色的表现，能够有效提升系统的信噪比。此外，2N4365的跨导（gm）较高，意味着在较小的栅极电压变化下即可实现较大的漏极电流变化，增强了其信号放大能力。
该器件的漏极电流IDSS在25°C时典型值为10mA，具有良好的线性特性，适合用于模拟开关和可变电阻电路。其输入电容较低（Ciss为7pF），有助于减少高频信号通过时的失真，适用于高频小信号放大。2N4365的栅源击穿电压（VGS(off)）约为-2.5V至-6V之间，因此在设计偏置电路时需确保栅极电压在安全范围内，以保证器件稳定工作。
从封装角度来看，2N4365采用标准TO-92塑料封装，具备良好的散热性能和机械强度，适用于通孔安装和手工焊接工艺，便于在各种电子项目中使用。
2N4365广泛应用于音频放大器、前置放大电路、模拟开关、电压控制电阻、信号调制器、测量仪器和传感器接口电路等领域。其高输入阻抗和低噪声特性使其成为高保真音频设备、麦克风前置放大器和精密测量仪器中的理想选择。此外，由于其良好的线性度和可控性，也常用于模拟信号处理电路、电压控制衰减器和电子开关系统。
2N4366, 2N4367, J111, J112
