类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：约0.45Ω
　　最大功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N4170的主要特性之一是其高耐压能力和相对较低的导通电阻。这使其能够在较高的电压下工作，同时减少导通时的功率损耗。此外，该器件的栅极驱动需求较低，可以与标准逻辑电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。
　　该MOSFET具有快速的开关特性，能够在高频环境下运行，适合用于开关电源、DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。同时，2N4170的封装设计具有良好的散热性能，有助于在高电流条件下保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性。
　　在保护方面，2N4170具备一定的抗静电能力和过热保护功能，确保在恶劣工作环境下仍能稳定运行。此外，其较高的输入阻抗减少了对驱动电路的负载影响，从而提高了整体系统的效率。

2N4170主要用于各种电源管理应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和LED驱动器。它也常用于电机控制和负载开关应用，例如在自动控制系统和机器人技术中，作为高效的功率开关器件。
　　由于其良好的高频开关性能，2N4170也被广泛应用于逆变器和电源转换器模块中，用于将直流电转换为交流电或将不同电压等级的直流电进行转换。此外，该器件还适用于需要高效功率控制的消费类电子产品，如智能家电、电源适配器和工业自动化设备。
　　在汽车电子领域，2N4170可以用于车载充电系统、照明控制系统和车载逆变器等应用，满足汽车环境中对可靠性和稳定性的高要求。

IRFZ44N, 2N6764, FQP4N60