类型：N沟道JFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：-30V
　　最大漏极电流（Id）：10mA
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-72或TO-92
　　跨导（Gm）：2000 μS至5500 μS（典型值）
　　截止频率（fT）：约100MHz
　　输入电容（Ciss）：约8pF

2N3819/D74Z 是一款性能稳定的N沟道结型场效应晶体管。其高输入阻抗特性使其在模拟信号放大和射频应用中表现出色。该器件的跨导范围为2000至5500 μS，确保了良好的电压放大能力。漏源击穿电压为40V，栅源电压最大可达-30V，具备一定的耐压能力。最大漏极电流为10mA，适用于低功耗设计。该晶体管的截止频率（fT）约为100MHz，适合高频放大和混频电路使用。
　　其封装形式多为TO-72或TO-92，体积小巧，便于安装在各种电路板上。该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，适应性强，适用于多种工业和通信环境。由于其低噪声系数和良好的线性度，2N3819常用于前置放大器、射频接收器、振荡器及模拟开关电路中。
　　此外，该JFET还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。其简单的偏置电路设计也降低了外围元件的需求，提高了系统的整体稳定性。

2N3819/D74Z 主要用于需要高输入阻抗和低噪声放大的电路中。常见的应用包括音频前置放大器、射频信号放大器、混频器、振荡器、模拟开关以及低电平信号处理电路。此外，该器件也常用于测试仪器、收音机调谐电路、电话通信设备和工业控制系统的模拟信号处理部分。由于其良好的高频响应，2N3819也广泛应用于AM/FM接收器、信号发生器和测量设备中。

J201, 2N5457, BF245C, 2SK170