2N3791 时间：2025/12/24 16:58:30 阅读：29

2N3791 是一款由美国公司制造的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高电流和高电压能力的开关应用中。该器件采用TO-220封装，适用于多种工业和消费类电子产品。2N3791设计用于高效能的电源管理和功率控制应用，具备较低的导通电阻和快速的开关特性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.3Ω
　　最大功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2N3791 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于各种功率应用。首先，它具备较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电压和高电流能力使其适用于需要较大功率处理能力的电路中。此外，2N3791具备快速的开关速度，能够有效地降低开关损耗，提高整体系统性能。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下的稳定性。此外，2N3791还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在恶劣的工作环境中可靠运行。
　　由于其N沟道结构，2N3791在导通时具有较高的电子迁移率，从而提供更快的响应速度和更低的电压降。这些特性使得该器件特别适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关电路等。此外，该MOSFET的栅极驱动要求相对简单，可通过标准的逻辑电平信号进行控制，简化了电路设计。

应用

2N3791常用于需要高电流和高电压控制的电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、电池管理系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和照明控制系统等。由于其良好的热性能和高可靠性，2N3791也常用于需要长时间连续运行的工业设备中。