时间：2025/9/2 11:55:15
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2N3678A 是一款经典的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛用于中低功率的开关和放大电路。该器件采用TO-3封装形式，具备良好的导通特性和较高的开关速度，适合在各种电子电路中作为功率开关元件使用。2N3678A的耐压能力较强，漏源击穿电压（VDS）可达400V，漏极电流（ID）为4A，能够满足许多中等功率需求的应用场景。
漏源击穿电压（VDS）：400V
漏极电流（ID）：4A
栅源电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（RDS(on)）：约0.55Ω
封装形式：TO-3
2N3678A具备良好的导通性能和稳定的开关特性，其主要优势包括较高的耐压能力和较低的导通电阻。这使得它在开关应用中能够实现较高的效率并减少能量损耗。此外，该器件的栅极驱动需求较低，允许使用标准的逻辑电平进行控制，提高了其在数字电路中的兼容性。由于采用了TO-3金属封装，2N3678A具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的应用环境。其工作温度范围较宽，能够在恶劣环境下稳定工作，增加了其适用范围。
在实际应用中，2N3678A具有较高的抗过载能力，能够承受一定的瞬态过压和过流情况，从而延长器件的使用寿命。此外，其快速的开关响应时间也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这种MOSFET还具备较高的热稳定性，适合用于需要连续工作的高负载电路中。
2N3678A通常用于电源开关、直流电机控制、逆变器、UPS系统、电池充电器、照明控制系统以及各种中功率电子设备中。其高耐压和中等电流能力使其成为多种工业控制和消费电子产品中的理想选择。
IRF740, 2N6756, 2N6660, BUZ41A
