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2N3637UB 发布时间 时间:2025/12/24 4:31:37 查看 阅读:15

2N3637UB是一种双极性晶体管(BJT),属于大功率高频晶体管类别,广泛应用于射频功率放大器、无线通信设备以及工业电子领域。该器件具有较高的增益带宽乘积和良好的线性度,适合于高频应用场合。
  这种晶体管设计用于在高频条件下提供高输出功率和效率,同时保持较低的失真水平。其结构和材料使其能够承受相对较高的电压和电流,这使得它在。

参数

集电极-发射极击穿电压:120V
  集电极最大连续电流:15A
  功率耗散:150W
  增益带宽乘积:100MHz
  最高工作温度:150°C
  最低工作温度:-55°C

特性

2N3637UB晶体管的主要特点包括高增益带宽乘积、高击穿电压以及较大的功率处理能力。它采用硅材料制成,并利用双极性结型晶体管技术,从而实现了高效的功率转换和低噪声性能。
  此外,该晶体管的热稳定性较好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。由于其出色的高频性能,2N3637UB非常适合用作射频功率放大器的核心元件。同时,它的线性度也使它成为调制和信号放大的理想选择。

应用

2N3637UB主要用于射频功率放大器的设计,特别是在业余无线电、短波广播和其他无线通信系统中。此外,它还可用于工业电子设备中的高频开关和驱动电路。
  具体应用场景包括但不限于以下几种:
  1. 业余无线电设备中的功率放大模块;
  2. 商业无线通信系统的基站放大器;
  3. 工业加热设备中的高频电源控制;
  4. 高频信号发生器和测试设备中的功率级驱动。

替代型号

2N3569, MRF474

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2N3637UB参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥120.84000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)175 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)10μA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 50mA,10V
  • 功率 - 最大值1.5 W
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-SMD,无引线
  • 供应商器件封装UB