类型：NPN晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：50mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：40V
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-72金属封装
　　电流增益（hFE）：最小为50（在Ic=10mA，Vce=5V）
　　特征频率（fT）：典型值为100MHz
　　噪声系数：典型值为3dB（在1kHz，Ic=10mA）

2N3368晶体管以其在高频电路中的稳定性能著称。它在100MHz左右的特征频率（fT）使其适用于射频和中频放大器的设计。该晶体管具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器等需要高信号完整性的应用。其TO-72金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了高频工作的稳定性。
　　2N3368的电流增益（hFE）在标准测试条件下最小为50，确保了其在各种放大电路中的可靠性。由于其最大集电极电流为50mA，该晶体管适用于中低功率放大器设计，而300mW的最大功耗使其在无需额外散热片的情况下也能正常工作。
　　此外，2N3368具有较高的集电极-发射极和集电极-基极击穿电压（均为40V），使其在较宽的电压范围内具有良好的工作稳定性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种环境条件下的电子设备。

2N3368广泛应用于射频和中频放大器电路，尤其在早期的通信设备、收音机和电视调谐器中较为常见。它常用于前置放大器、信号放大器以及需要低噪声和高稳定性的高频电路中。由于其良好的高频响应，该晶体管也用于振荡器和混频器电路设计。
　　此外，2N3368还可用于测试设备和测量仪器中的信号放大电路，确保高精度的信号处理。在某些老式音频设备中，该晶体管也用于高保真音频信号的放大，尽管其主要设计目标是高频应用。
　　随着现代半导体技术的发展，许多新型晶体管已取代了2N3368在主流电路中的应用，但在某些特定的复古设备修复或高频实验电路中，它仍然具有一定的使用价值。

2N3369，2N3367，2N3904