类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-65°C至+200°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-18金属封装

2N3010的主要特性之一是其优异的高频性能，过渡频率（fT）高达100MHz，使其非常适合用于射频和中频放大器应用。该晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）为30V，集电极电流（Ic）可达150mA，能够在中等功率条件下稳定工作。
　　此外，2N3010采用TO-18金属封装，具备良好的散热性能和机械强度，适用于需要高可靠性的应用场景。该封装形式也有助于降低噪声并提高稳定性，使其在低噪声放大电路中表现出色。
　　该晶体管的电流增益（hFE）在不同工作条件下表现出良好的一致性，适用于需要稳定增益的放大电路设计。同时，其较低的输入阻抗和较高的输出阻抗特性，使其在阻抗匹配电路中具有较好的适应性。
　　2N3010的工作温度范围较宽，从-65°C到+200°C，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。其较高的温度耐受能力也使其在高温环境中表现出良好的稳定性。

2N3010主要用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，广泛应用于无线电接收机、电视调谐器、通信设备以及其他需要高频信号放大的电子系统。该晶体管的高频性能和低噪声特性使其非常适合用于前置放大器和信号增强电路。
　　在音频应用中，2N3010也可用于前置放大器和低功率音频放大电路，尤其是在需要高稳定性和低失真的场合。此外，该晶体管还可用于振荡器、混频器和调制电路等高频电子电路设计。
　　由于其良好的热稳定性和金属封装的机械强度，2N3010也适用于工业控制、测试设备和测量仪器等需要长期稳定运行的电子设备。其在高频电路中的广泛应用使其成为电子工程师设计高频放大器和信号处理电路时的常用选择。

2N2222、2N3904、BF199、BF200