2N278是一款PNP型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管由美国公司制造,具有良好的高频响应和稳定性,适用于通信设备、收音机调谐器以及各类射频放大器电路。其封装形式通常为TO-18金属封装,具有较好的散热性能。
类型:PNP型晶体管
最大集电极电流(IC):100mA
最大集电极-发射极电压(VCE):30V
最大集电极-基极电压(VCB):30V
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-18金属封装
电流增益(hFE):在10mA集电极电流下约为50-150
截止频率(fT):约100MHz
2N278作为一款高频晶体管,其主要特性在于其出色的频率响应和稳定性。晶体管内部结构采用扩散工艺制造,具有较高的放大倍数和较低的噪声系数,适合在射频信号放大中使用。此外,其金属封装不仅有助于提高散热效率,还能减少高频信号的干扰,从而提升整体电路性能。该晶体管还具有良好的温度稳定性和可靠性,适用于要求较高的电子设备中。由于其工作频率范围较宽,2N278也可用于中频放大电路,如调频收音机和通信接收机的中间放大级。
该晶体管的电流增益(hFE)在不同型号之间可能会有所差异,通常分为不同等级。在使用时,需要根据电路设计需求选择合适的hFE等级,以确保放大器的稳定性与性能。此外,2N278的工作温度范围较宽,可在极端环境下稳定运行,适合工业级和军用级设备使用。
2N278常用于射频和中频放大电路中,典型应用包括调频收音机的前置放大器、通信设备中的射频放大模块、中频放大器以及各类低功率高频信号放大电路。由于其良好的高频特性,该晶体管也常用于无线通信系统的前端接收电路中,如无线遥控、无线音频传输等场景。此外,2N278还可用于振荡器和混频器等高频电路中,提供稳定的信号处理能力。
2N3707, 2N2907