RF7307TR13 时间：2025/8/16 0:53:44 阅读：10

RF7307TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，专为高功率放大器应用而设计。该器件采用先进的 GaN 技术制造，具有出色的功率密度、效率和线性度，适用于高频通信系统、雷达、工业加热设备以及测试仪器等应用。RF7307TR13 通常工作在 UHF 和 L 波段，适合需要高输出功率和稳定性的应用场景。

参数

工作频率：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：75 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：超过65%
　　工作电压：+28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　输入阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF7307TR13 的核心优势在于其基于 GaN 技术的高功率密度和高效率，这使得它在有限的空间内提供更大的输出功率。该器件在高温环境下表现出色，具备良好的热管理和可靠性，适合长时间高负载运行的应用场景。其高增益特性减少了对前级驱动电路的要求，从而降低了整体系统设计的复杂性。RF7307TR13 还具有良好的线性度和低失真性能，适合用于需要高信号保真度的通信系统。此外，该器件采用表面贴装封装，简化了 PCB 布局和装配流程，提高了生产效率。
　　另一个显著特点是其宽频带操作能力，使其在多个频段中均能保持稳定性能，适用于多用途射频放大器。RF7307TR13 的设计还考虑了易用性和兼容性，能够与多种射频前端模块和功率分配器集成，广泛用于基站、无线基础设施和测试设备中。