类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源击穿电压（VDS）：60V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.35Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：35W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2N2548具有优异的导通性能和低损耗特性，使其在功率开关应用中表现出色。其导通电阻较低，可减少在高电流应用中的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，适用于中高功率应用场景。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在+4V至+10V之间实现良好的导通控制，适用于多种驱动电路设计。
　　2N2548的热稳定性较好，能够在较高温度下稳定工作，这得益于其良好的散热封装设计。同时，其快速开关能力使其适用于高频开关电路，有助于减小电源系统的体积和重量。此外，该器件具有较强的抗过载能力，在短时过载条件下仍能保持稳定工作，提高了系统的可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电对器件造成损坏。其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适合各种通用和工业应用。

2N2548常用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器、LED驱动器以及各种功率开关应用中。在开关电源中，该器件可以作为主开关管使用，实现高效的能量转换。在电机驱动系统中，2N2548可用于控制电机的启停和调速。此外，它也常用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为核心功率器件。由于其良好的稳定性和可靠性，该器件也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中。

IRF540N, FQP10N60, 2N2549