晶体管类型：NPN型
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：60 - 450（视具体分档而定）
　　频率响应（fT）：100 MHz（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-18 金属封装

2N2530是一款经典的通用晶体管，具备出色的电气性能和可靠性。
　　其NPN结构使其适用于各种放大和开关电路。
　　该晶体管的最大集电极电流为100 mA，适用于中低功率应用。
　　集电极-发射极和集电极-基极的击穿电压均为30 V，使其在中等电压环境中具有良好的耐受性。
　　2N2530的最大功耗为300 mW，适用于无需额外散热的电路设计。
　　电流增益（hFE）范围较宽，从60到450不等，具体取决于制造时的分档（如O档、Y档等）。
　　其频率响应（fT）达到100 MHz，适用于高频放大器和振荡器。
　　2N2530采用TO-18金属封装，具有良好的散热性能和机械强度。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和军用级环境。
　　由于其广泛使用和标准化设计，2N2530在许多电路中易于获取和替换。

2N2530主要应用于各种电子设备和系统中，包括：
　　音频放大器：用于低功率音频信号的放大。
　　射频（RF）放大器：在100 MHz左右的频率范围内进行信号放大。
　　振荡器电路：用于产生稳定的高频信号。
　　数字开关电路：在逻辑控制和驱动电路中作为开关元件使用。
　　电源控制：用于控制中低功率负载的通断。
　　传感器接口：用于传感器信号的前置放大或处理。
　　模拟电路设计：在各种模拟信号处理电路中作为核心元件。
　　教学和实验：在电子工程教学和实验中用于演示晶体管的基本工作原理。
　　业余电子项目：在DIY电子制作中用于构建放大、开关和振荡电路。
　　工业控制系统：用于自动化设备中的信号处理和控制。

2N3904, BC547, 2N2222, 2N4123