类型：PNP
　　材料：锗（Germanium）
　　封装形式：TO-18（金属封装）
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：3V
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：40 - 150（典型值）
　　过渡频率（fT）：约100MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +75°C

2N2508作为一款经典的锗基PNP双极性晶体管，其最显著的特性之一是低导通压降。由于采用锗半导体材料，其基极-发射极开启电压（Vbe）通常仅为0.2V至0.3V左右，远低于硅晶体管的0.6V至0.7V水平。这一特性使其在低电压信号检测、弱信号放大以及某些早期的逻辑电路中表现优异。例如，在电池供电的便携式设备尚未普及的时代，2N2508能够更有效地利用有限的电源电压，提升系统效率。此外，该器件具备较高的电流增益（hFE），在典型工作条件下可达到40至150之间，这意味着即使输入信号非常微弱，也能实现有效的电流放大。
　　另一个重要特性是其良好的高频响应能力。2N2508的过渡频率（fT）可达约100MHz，使其适用于中高频放大电路，如射频前端、振荡器和调制解调电路。虽然其绝对频率能力不及现代高速硅晶体管，但在当时的技术背景下，这一性能已经足够满足许多通信和广播设备的需求。同时，TO-18金属封装不仅提供了良好的机械强度，还具备一定的散热能力和电磁屏蔽效果，有助于提高电路稳定性。
　　然而，2N2508也存在明显的局限性。首先是温度敏感性强，锗材料的本征载流子浓度随温度上升迅速增加，导致反向漏电流（Iceo）显著增大，可能引发热失控。其次，长期存放后容易出现参数漂移或氧化问题，影响可靠性。此外，由于该型号早已停产，原始规格书难以获取，不同批次之间的参数一致性无法保证，因此不适合用于高精度或高可靠性要求的应用场景。总体而言，2N2508代表了半导体发展早期阶段的技术特征，虽已被现代器件取代，但其历史意义和技术特点仍值得研究与了解。

2N2508曾广泛应用于20世纪60年代至70年代的各种电子设备中，尤其是在低功率模拟信号处理领域。一个典型的应用是在音频前置放大器电路中，利用其低Vbe特性对微弱声音信号进行初步放大，常见于老式麦克风前置放大器或晶体管收音机的音频级联设计中。由于其较高的电流增益和适中的频率响应，能够有效提升信噪比而不引入过多失真。此外，该器件也被用于简单的开关电路，例如继电器驱动、指示灯控制和逻辑门实现，特别是在需要低触发电平的场合下更具优势。
　　在射频应用方面，2N2508可用于构建中波或短波接收机中的高频放大器和混频器电路。其100MHz左右的过渡频率足以覆盖AM广播频段（约500kHz至1.6MHz），并能在本地振荡器中作为振荡管使用。一些业余无线电爱好者至今仍在复刻经典收音机设计时选用此类锗管，以追求“原汁原味”的声音特性。
　　此外，2N2508还曾用于早期的计算机和数字逻辑电路中，作为分立元件搭建基本的反相器、触发器或计数器单元。尽管集成度远不如现代IC，但在集成电路尚未成熟的时代，这类晶体管构成了数字系统的基础构件。如今，该器件主要用于教学演示、古董设备维修和怀旧项目开发，帮助学生理解晶体管的基本工作原理及其在技术演进中的地位。

2N2509
　　2N2613
　　AC128
　　OC44