时间：2025/7/25 20:32:59
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2N2484是一款常用的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于各种电源管理和开关应用中。该晶体管具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合用于高频率开关和中等功率的应用场景。2N2484的封装形式通常为TO-220或TO-202，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏-源电压（VDS）：100V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω
功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
2N2484具备多个优良的电气特性，使其在电源管理应用中表现出色。其高漏极电流能力（10A）允许它用于较高功率的应用，而漏-源电压（VDS）达到100V，使其适用于多种中高压开关场景。此外，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)）值，典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。
2N2484的栅-源电压范围为±20V，这为设计者提供了较大的驱动灵活性，同时确保器件在安全范围内工作。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，能够在较高功率条件下保持稳定运行。
此MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。此外，它的耐用性和稳定性使其在工业控制、电源供应和消费类电子产品中得到了广泛应用。
2N2484主要用于电源管理和开关电路中，典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动电路、电源开关、电池管理系统以及各种工业控制设备。由于其高电流能力和良好的热稳定性，它也常用于需要高效能和高可靠性的场合。
IRF540, FDPF10N10, 2N2485
