类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：3.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92、TO-220等

2N2440 的核心优势在于其出色的电气性能和稳定性。首先，其漏极-源极击穿电压为100V，允许其在高压环境中可靠工作；其次，最大连续漏极电流为3.4A，适用于中高功率的开关应用。此外，2N2440 的导通电阻较低，约为0.65Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的封装形式多样，如TO-92和TO-220，方便在不同应用场景下使用。TO-220封装具备良好的散热性能，适合需要较高功率耗散的应用。此外，2N2440 的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+15V之间有效工作，确保其在不同控制电路中的兼容性。
　　该MOSFET的可靠性也得到了广泛验证，具备较高的热稳定性和抗过载能力。在正常工作温度范围内（-55°C至+150°C），其性能不会出现显著下降，因此非常适合用于工业设备、电源适配器和电池管理系统等环境。此外，2N2440 的制造工艺成熟，具有较长的使用寿命和较低的失效率，适用于对可靠性要求较高的场合。

2N2440 被广泛应用于各种电子系统中，尤其是在需要高效、高可靠性的开关控制场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、马达驱动电路、LED驱动器、电池充电与管理系统、继电器驱动以及各种工业控制设备。由于其具备较高的耐压能力和较好的导通特性，2N2440 也常用于电源管理模块中的负载开关或背光控制电路。此外，该器件还可用于音频放大器的电源开关部分，以实现高效能的功率控制。

IRF510, 2N6755, BUZ11, FQP30N06L