类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200 mA
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.5 Ω
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

2N2104S 是一款标准的N沟道MOSFET，具备良好的开关特性和稳定的性能。其主要特点是具有较高的输入阻抗，使得栅极控制信号的功耗极低，非常适合用于数字控制电路。此外，它的导通电阻较低，在导通状态下能够有效降低功耗，提高电路效率。由于其TO-92封装形式小巧，便于在印刷电路板上安装，适用于各种低功耗应用场景。该器件的栅极驱动电压相对较低，可以在3.3V至12V之间正常工作，因此兼容多种逻辑电平的控制电路，如微控制器输出。此外，2N2104S 的结构设计使其具备一定的抗静电能力，增强了在工业环境中的可靠性。
　　该晶体管还具备良好的热稳定性和较高的开关速度，适用于需要快速切换的电路。虽然其电流和电压承受能力不如现代高性能MOSFET，但在一些基础的电子项目中，2N2104S 仍然具有很高的实用价值。例如，在LED驱动、继电器控制、小型风扇调速以及低功率电源管理电路中，该器件都能稳定工作。同时，由于其广泛使用和成熟的生产工艺，2N2104S 的价格相对较低，适合用于教学实验、原型开发和小型电子产品中。

2N2104S 常用于各种低功率电子设备中，特别是在需要N沟道MOSFET进行开关控制的场合。常见的应用包括但不限于：数字逻辑电路中的开关元件、小型电机驱动、LED照明控制、继电器驱动电路、电源管理系统、传感器信号调理电路、音频放大器的前置开关控制、以及嵌入式系统中的外围设备控制。由于其兼容性强和成本低，该器件也常用于教育实验和DIY电子项目中。

2N7000, BS170, IRLZ44N, 2N2104