2N1806是一款NPN型高频晶体管,常用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。它设计用于需要高增益和良好高频性能的应用,适合工作在高频通信系统中。这款晶体管通常采用TO-66金属封装,具备良好的散热性能,以支持其在高频率和中等功率水平下的稳定工作。2N1806在20世纪中期广泛用于各种电子设备中,尤其是在通信和广播领域。
晶体管类型:NPN型高频晶体管
集电极-发射极电压(Vceo):30V
集电极-基极电压(Vcbo):30V
发射极-基极电压(Vebo):5V
集电极电流(Ic):150mA
功耗(Ptot):400mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
过渡频率(fT):100MHz
增益(hFE):50-300(具体取决于工作电流)
2N1806具有优异的高频性能,适用于射频和中频放大器的设计。该晶体管的增益较高,通常在中等电流下可实现良好的放大效果。其TO-66金属封装提供了良好的散热能力,有助于维持晶体管在高频率工作时的稳定性。此外,2N1806具备良好的线性性能,适用于模拟信号放大应用。由于其工作频率范围较宽,因此在早期的通信设备、收音机和电视调谐电路中得到了广泛应用。然而,随着现代射频晶体管的发展,2N1806的使用逐渐减少,但在一些特定的老化电路设计或修复项目中仍具有一席之地。
2N1806主要用于射频(RF)和中频(IF)放大电路,常见于早期的无线电接收器、电视调谐器、通信设备以及各类模拟电子设备中。它适用于需要高频增益和低噪声性能的电路设计,例如前置放大器和混频器电路。此外,2N1806也用于教学实验和电子爱好者项目,作为高频晶体管的基础示例。
2N1807, 2N1808, 2N1809