2N165是一款NPN型高频晶体管,常用于射频(RF)和中频(IF)放大器应用。这款晶体管设计用于高频电路,具有良好的增益和频率响应特性。2N165广泛应用于早期的通信设备、广播接收器以及其他需要高频放大的电子系统中。该晶体管采用TO-18金属封装,具有较好的散热性能,适用于通孔焊接。
晶体类型:NPN晶体管
封装类型:TO-18
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
频率响应(fT):100MHz
电流增益(hFE):40-150(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C至+150°C
2N165的主要特性包括其在高频下的良好性能和适中的增益。该晶体管能够在高达100MHz的频率下工作,使其适用于射频和中频放大器设计。由于其TO-18金属封装,2N165具有良好的热稳定性和可靠性,适用于较为严苛的环境条件。此外,其较高的集电极-发射极击穿电压(30V)使其在多种电源条件下都能稳定工作。
该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从40到150不等,具体取决于其等级分类。这种特性使得2N165适用于需要不同增益水平的设计,同时也便于在不同电路中进行匹配和替换。由于其高频特性,2N165通常用于前置放大器、信号放大器和低噪声放大器等应用。
虽然2N165已经是一款较为老旧的晶体管型号,但由于其可靠性和良好的性能,仍然在一些复古电子设备和实验项目中被使用。此外,它也常被用于教育和实验教学中,作为高频放大电路的基础元件。
2N165主要用于高频放大电路,如射频放大器、中频放大器和前置放大器。它常用于早期的无线电接收器、通信设备以及测试仪器中。由于其良好的高频响应和稳定性,2N165也适用于低噪声放大器设计,尤其在需要高增益和低失真的应用中。此外,该晶体管还被用于音频放大器中的前置放大级,特别是在复古音响设备和电子实验项目中。
2N164、2N166、BF199、BF200