时间：2025/9/2 17:12:14
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2N165是一款NPN型高频晶体管，常用于射频（RF）和中频（IF）放大器应用。这款晶体管设计用于高频电路，具有良好的增益和频率响应特性。2N165广泛应用于早期的通信设备、广播接收器以及其他需要高频放大的电子系统中。该晶体管采用TO-18金属封装，具有较好的散热性能，适用于通孔焊接。
晶体类型：NPN晶体管
封装类型：TO-18
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：300mW
频率响应（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：40-150（根据等级不同）
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N165的主要特性包括其在高频下的良好性能和适中的增益。该晶体管能够在高达100MHz的频率下工作，使其适用于射频和中频放大器设计。由于其TO-18金属封装，2N165具有良好的热稳定性和可靠性，适用于较为严苛的环境条件。此外，其较高的集电极-发射极击穿电压（30V）使其在多种电源条件下都能稳定工作。
该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从40到150不等，具体取决于其等级分类。这种特性使得2N165适用于需要不同增益水平的设计，同时也便于在不同电路中进行匹配和替换。由于其高频特性，2N165通常用于前置放大器、信号放大器和低噪声放大器等应用。
虽然2N165已经是一款较为老旧的晶体管型号，但由于其可靠性和良好的性能，仍然在一些复古电子设备和实验项目中被使用。此外，它也常被用于教育和实验教学中，作为高频放大电路的基础元件。
2N165主要用于高频放大电路，如射频放大器、中频放大器和前置放大器。它常用于早期的无线电接收器、通信设备以及测试仪器中。由于其良好的高频响应和稳定性，2N165也适用于低噪声放大器设计，尤其在需要高增益和低失真的应用中。此外，该晶体管还被用于音频放大器中的前置放大级，特别是在复古音响设备和电子实验项目中。
2N164、2N166、BF199、BF200
