型号：FS5KM-10A
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：高压MOSFET模块（双N沟道）
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大漏极电流（ID）：5 A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20 A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω（典型值，@ VGS = 15V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4.0 V（范围：3.0 ~ 5.0 V）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ VDS = 25V）
　　输出电容（Coss）：180 pF（@ VDS = 25V）
　　反向恢复时间（trr）：无（因体二极管不主导应用）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：Insulated Module with Metal Base
　　安装方式：螺钉固定散热底板
　　隔离电压：≥ 2500 VAC（典型）

FS5KM-10A采用先进的沟槽栅极与场截止（Field-Stop）IGBT-like结构优化的MOSFET技术，实现了在1200V高电压等级下仍保持较低的导通电阻，有效降低了导通损耗，提高了系统能效。其独特的双MOSFET反向并联配置，使得该器件特别适用于需要双向电流导通与快速关断的谐振变换拓扑，如LLC、全桥移相或串联谐振电路等。这种结构避免了传统方案中使用多个分立器件带来的布局复杂性和寄生参数问题，提升了系统的可靠性与一致性。
　　该模块内部集成的绝缘金属基板不仅提供了出色的热传导路径，还确保了主电路与散热器之间的电气隔离，符合安全规范要求，适用于对绝缘性能有严格要求的工业和医疗设备。其封装结构经过优化，具有极低的内部引线电感，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振荡现象，从而减少EMI干扰并提升开关稳定性。
　　FS5KM-10A具备优异的动态性能，开关速度极快，配合适当的驱动电路可实现数百kHz级别的高频操作，满足现代高频电源对小型化和高功率密度的需求。同时，器件具有良好的热循环耐久性和长期可靠性，在高温高湿环境中仍能保持稳定的电气特性。内置的体二极管虽非主要工作部分，但在瞬态过程中仍提供必要的续流路径，防止反向电压击穿。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和短时过载承受能力，能够在负载突变或异常工况下维持正常工作而不损坏，提高了整个系统的故障容忍度。此外，其标准化模块外形便于自动化装配和维护，适合大批量生产应用。通过并联多个FS5KM-10A模块，可以轻松扩展系统电流处理能力，而一致的参数匹配保证了并联均流效果良好。

FS5KM-10A主要应用于需要高频、高压、高效率开关操作的工业电力电子系统。典型用途包括高频感应加热设备，如金属熔炼炉、焊接机和热处理装置，其中该器件作为主开关元件参与谐振逆变电路，将直流电高效转换为高频交流电以驱动感应线圈产生涡流加热效应。在超声波清洗机和超声波焊接设备中，FS5KM-10A用于构建高频振荡电路，提供稳定且高效的能量输出。
　　此外，该器件广泛用于各类DC-AC逆变电源，尤其是太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统中的升压或H桥拓扑结构中，发挥其高压耐受和低损耗优势。在医疗设备如X光机、激光治疗仪等需要精确控制高能脉冲的场合，FS5KM-10A因其快速响应和高可靠性成为理想选择。
　　其他应用场景还包括电镀电源、电磁激励系统、等离子发生器以及电动汽车充电桩内的辅助电源模块。由于其具备双向导通能力和优良的热管理性能，也适合用于某些特殊类型的软开关拓扑结构，如零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS）电路中，进一步提升系统效率并降低电磁干扰水平。

FSL5KM-10A