时间：2025/12/29 14:51:52
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2N1132 是一款广泛应用于电子电路中的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件以其良好的放大性能和稳定性，常用于低频放大器、开关电路以及各种模拟电子系统中。2N1132 采用TO-18金属封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、通信设备、音频放大器等多种应用场景。
晶体管类型：NPN型
集电极-发射极电压（Vceo）：30V
集电极-基极电压（Vcbo）：50V
发射极-基极电压（Vebo）：5V
集电极电流（Ic）：150mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-18（金属罐封装）
增益（hFE）：在Ic=2mA，Vce=5V时，典型值为80~250（根据等级不同）
2N1132 晶体管具有多项优异的电气特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，该晶体管的增益（hFE）范围较宽，通常在80至250之间，具体数值取决于其等级划分，这使得它适用于需要不同增益配置的放大电路。其次，2N1132 具有较低的饱和压降（Vce_sat），在导通状态下功耗较低，适合用作开关元件。
此外，该晶体管的频率响应特性良好，尽管其主要设计用于低频放大，但其过渡频率（fT）可达约100MHz左右，因此在一些中频放大应用中也能胜任。2N1132 的TO-18金属封装提供了良好的散热性能，增强了器件在较高温度环境下的稳定性。
该晶体管还具有良好的线性度和噪声特性，适合用于音频放大器的前置放大级。其基极-发射极电压（Vbe）通常在0.6V至0.7V之间，便于与多种偏置电路配合使用。此外，2N1132 的耐压能力较强，集电极-基极电压（Vcbo）可达50V，增强了其在高压环境中的适用性。
由于其广泛的应用历史和成熟的制造工艺，2N1132 在市场上具有良好的可用性和成本优势，是许多电子设计中的首选晶体管之一。
2N1132 晶体管因其良好的电气性能和可靠性，广泛应用于多个电子领域。在音频设备中，它常用于前置放大器、功率放大器驱动级以及混音器等模拟电路中，提供稳定的信号放大功能。
在工业控制和自动化系统中，2N1132 可用于开关电路、继电器驱动器以及传感器信号调理电路。它在低频放大和开关应用中的表现优异，能够满足多种控制需求。
此外，该晶体管也常用于通信设备中的信号放大模块、调制解调器以及无线电接收器前端电路中。其良好的频率响应和线性特性使其在这些高频相关应用中也能胜任。
教育和实验开发领域中，2N1132 也常被用于教学实验板和基础电子项目中，作为学生学习晶体管原理和放大电路设计的重要元件。
2N1131, 2N2222, BC107, BC108, BC109
