2MBI200U4H-120 时间：2025/8/9 19:57:35 阅读：55

2MBI200U4H-120是一款由三菱电机（Mitsubishi Electric）制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，属于高功率电子元器件，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。该模块结合了MOSFET的易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降特性，使其成为变频器、逆变器、电机驱动和工业自动化系统等领域的理想选择。2MBI200U4H-120采用了紧凑的设计结构，具备良好的热管理和电气性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。

参数

模块类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：200A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　短路耐受能力：典型值600A/10μs
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　栅极驱动电压：±15V（典型）
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（IC=200A，Tj=25°C）
　　最大热阻（RthJC）：0.26°C/W
　　安装方式：螺钉安装
　　隔离电压：2500Vrms（1分钟）

特性

2MBI200U4H-120具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压应用场景，能够承受较大的电压波动和瞬态过电压。其次，该模块的额定集电极电流为200A，具有较高的电流承载能力，适合大功率电机驱动和工业变频器等应用。此外，模块内部采用了优化的芯片布局和封装技术，显著降低了内部电感，提高了模块的抗干扰能力和开关性能。
　　在热管理方面，2MBI200U4H-120具有较低的热阻（RthJC=0.26°C/W），有助于提高散热效率，确保模块在高负载条件下的稳定运行。模块还具备良好的短路保护能力，能够在短时间内承受高达600A的短路电流，从而提高系统的可靠性和安全性。
　　此外，该模块采用了标准的双列直插式封装（DIP），便于安装和维护，同时具备较高的机械强度和长期稳定性。其高隔离电压（2500Vrms）也确保了模块在高电压环境中的安全运行，降低了故障率。

应用

2MBI200U4H-120广泛应用于多个高功率电子领域，特别是在需要高效能和高可靠性的电力电子变换系统中。典型应用包括工业变频器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电焊机和电动汽车充电设备等。由于其优异的电气性能和热管理能力，该模块也常用于轨道交通、工业自动化和智能电网等复杂系统中。在这些应用中，2MBI200U4H-120不仅能够提高系统的整体效率，还能延长设备的使用寿命，降低维护成本。