2FI50A-060 时间：2025/8/9 10:57:40 阅读：26

2FI50A-060 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET 晶体管，适用于高功率和高效率的电源管理应用。这款 N 沟道增强型 MOSFET 提供了低导通电阻、高电流能力和快速开关性能，适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制和电源管理等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：50A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.018Ω（在 Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：200W
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

2FI50A-060 是一款高性能的功率 MOSFET，具有多项显著的技术特性。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）最大为 0.018Ω，这使得在高电流工作时能够减少导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件的最大漏源电压（Vds）为 60V，栅源电压（Vgs）为 ±20V，这使其能够在较宽的电压范围内稳定工作。此外，2FI50A-060 的连续漏极电流额定值为 50A，具备较强的电流承载能力，适合用于高功率输出的电源系统。该器件的封装形式为 TO-220，这种封装结构不仅提供了良好的散热性能，还便于在 PCB 板上安装和布局。此外，2FI50A-060 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，表明其具有良好的热稳定性和环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。该 MOSFET 还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，从而提高系统的动态响应和效率。这些特性使其成为电源转换器、马达驱动器、电池管理系统以及高功率负载开关等应用的理想选择。

应用

2FI50A-060 的应用范围广泛，涵盖了多个电力电子领域。在电源管理方面，该器件常用于同步整流、DC-DC 转换器、Buck 和 Boost 拓扑结构，以实现高效的电压转换。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，特别是在电动汽车和储能系统中。在电机控制领域，2FI50A-060 可用于 H 桥驱动电路，实现对直流电机或无刷电机的高效控制。此外，它也广泛应用于工业自动化设备、电源适配器、LED 驱动器以及高功率负载开关等场景。由于其优异的热性能和宽工作温度范围，该器件也适用于高温和严苛环境下的应用，如汽车电子、航空航天和工业控制系统。