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MMDF2P02HDR2G 发布时间 时间:2025/6/16 22:11:03 查看 阅读:2

MMDF2P02HDR2G 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND 闪存芯片,主要应用于嵌入式存储解决方案。该器件采用 MLC(多层单元)技术,提供大容量和高可靠性的数据存储功能。其设计符合 JEDEC 标准规范,支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适合对性能和稳定性要求较高的应用环境。
  该芯片具有较低的功耗、快速的数据传输速度以及较长的使用寿命,是物联网设备、汽车电子系统及工业控制等领域的理想选择。

参数

容量:2GB
  接口类型: Toggle Mode 2.0
  封装形式:BGA 169 球
  工作电压:1.8V ± 0.1V
  数据传输速率:最高 200MT/s
  擦写周期:3000 次(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-45°C 至 +125°C

特性

MMDF2P02HDR2G 提供了强大的数据存储能力,同时具备以下特点:
  1. 高密度存储:通过 MLC 技术实现更高的存储容量,满足现代设备对大数据量的需求。
  2. 快速数据访问:支持 Toggle Mode 2.0 接口协议,能够显著提升数据读取和写入的速度。
  3. 工业级可靠性:具备宽温工作范围,确保在极端环境条件下依然保持稳定运行。
  4. 低功耗设计:优化的电路架构有效降低了能耗,延长了电池供电设备的续航时间。
  5. 数据保护机制:内置 ECC(错误校正码)引擎,可以检测并修复数据传输过程中可能发生的错误,从而提高数据完整性。

应用

MMDF2P02HDR2G 广泛适用于多种需要高效存储的应用场景,包括但不限于:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机和其他网络设备中的固件存储。
  2. 工业自动化:为 PLC、HMI 和其他工业控制设备提供可靠的非易失性存储。
  3. 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、导航模块以及 ADAS(高级驾驶辅助系统)。
  4. 物联网设备:支持智能家居、安防监控及可穿戴设备等产品的本地数据存储需求。
  5. 医疗器械:保障便携式或固定式医疗仪器的数据安全与快速访问。

替代型号

MT29F2G08ABAEAWP-1IT
   MX30UF2G18AI
   KLDAG4GE4QFC-A421

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MMDF2P02HDR2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds588pF @ 16V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMDF2P02HDR2GOS