类型: NPN 双极晶体管阵列
　　晶体管数量: 2
　　最大集电极电流: 100 mA
　　最大集电极-发射极电压: 80 V
　　最大集电极-基极电压: 80 V
　　最大功耗: 300 mW
　　频率响应: 100 MHz
　　封装类型: SOIC-8

2DI50B-100 的主要特性之一是其高频率响应能力，能够在高达 100 MHz 的频率下工作，这使其非常适合用于高频放大器和射频电路。每个晶体管的最大集电极电流为 100 mA，能够支持中等功率的应用需求。此外，晶体管的集电极-发射极电压和集电极-基极电压最大值均为 80 V，提供了较高的电压耐受能力，适用于需要高电压操作的电路设计。
　　该器件的总功耗为 300 mW，确保在正常工作条件下不会过热。封装形式为 SOIC-8，这是一种小型化表面贴装封装，适合在高密度 PCB 设计中使用。SOIC-8 封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，能够有效延长器件的使用寿命。
　　集成两个独立的 NPN 晶体管在一个封装中，使得设计者能够在单个芯片上实现多个功能，从而减少电路板的复杂性和成本。这种集成设计也简化了电路布局，提高了系统的可靠性和稳定性。2DI50B-100 的高频率响应和中等电流处理能力使其成为许多高频和中功率应用的理想选择。

2DI50B-100 主要应用于高频放大器、射频电路、开关电源、马达驱动器和数字逻辑电路。由于其高频率响应能力，该器件非常适合用于射频信号放大和处理，尤其是在无线通信和射频识别（RFID）系统中。在开关电源设计中，2DI50B-100 能够提供快速的开关速度和稳定的性能，确保电源转换效率最大化。
　　在马达驱动器中，2DI50B-100 可用于控制马达的转速和方向，适用于小型马达控制应用。此外，该器件在数字逻辑电路中可以作为开关或缓冲器使用，提供高效的信号传输和处理功能。由于其 SOIC-8 小型封装，2DI50B-100 也非常适合用于便携式电子设备和嵌入式系统中，如智能手机、平板电脑和工业控制设备。
　　无论是在消费类电子产品还是工业自动化设备中，2DI50B-100 都能提供稳定可靠的性能，满足各种高频和中功率应用的需求。

BC847BDS, MMBT2222A, 2N3904