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2DB1386Q-13 发布时间 时间:2025/5/16 14:05:06 查看 阅读:9

2DB1386Q-13是一种高性能的功率二极管,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。它属于快速恢复二极管系列,具有较低的反向恢复时间,能够有效减少开关损耗并提高系统的整体效率。该型号采用TO-252封装形式,具备良好的散热性能和电气特性,适用于高频率和高电压的应用场景。
  这种二极管的设计注重在高频条件下保持低功耗,同时提供出色的可靠性和耐用性。它的典型应用场景包括续流二极管、整流电路以及保护电路等。

参数

最大正向电流:4A
  峰值反向电压:600V
  反向恢复时间:75ns
  正向压降:1.1V(典型值,@If=2A)
  工作结温范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-252

特性

2DB1386Q-13的关键特性包括其快速恢复能力,这使得它非常适合于高频开关应用。其低反向恢复电荷(Qrr)减少了开关过程中的能量损失,并且提高了整个系统的效率。
  此外,这款二极管具有较高的浪涌电流能力,能够在短时间内承受比额定值更高的电流而不损坏,从而增强了器件的鲁棒性。
  由于采用了先进的半导体制造工艺,2DB1386Q-13还拥有良好的热稳定性,在高温环境下也能维持稳定的性能表现。同时,其紧凑的封装设计有助于简化PCB布局并节省空间。

应用

2DB1386Q-13广泛应用于各种电力电子设备中,例如开关模式电源(SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动车充电器等。在这些应用中,它通常作为整流或续流元件使用。
  另外,该器件也常用于电机驱动电路中,以保护MOSFET或IGBT免受反电动势的影响。通过将2DB1386Q-13集成到相关电路中,可以显著提升产品的性能与可靠性。

替代型号

2DB1386Q-11, MUR160TR, BYM160E

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2DB1386Q-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 100mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2DB1386Q-13-ND2DB1386Q-13DITR