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2DB1184Q-13 发布时间 时间:2025/12/26 9:02:17 查看 阅读:24

2DB1184Q-13是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管阵列器件,集成了两个独立的NPN型晶体管,采用SOT-26封装。该器件专为需要紧凑布局和高集成度的便携式电子设备设计,广泛应用于模拟信号处理、逻辑驱动以及小功率开关电路中。其结构紧凑、性能稳定,适合在空间受限的应用场景中替代分立式晶体管方案,从而降低整体BOM成本并提升系统可靠性。由于具备良好的增益特性和频率响应能力,2DB1184Q-13常被用于音频放大、电平转换、LED驱动以及传感器接口等低功耗应用场合。该器件符合RoHS环保标准,并具有无铅(Pb-free)工艺特性,适用于现代绿色电子产品制造流程。此外,其工作温度范围覆盖工业级标准(-55°C至+150°C),确保在恶劣环境条件下仍能维持稳定运行。通过优化内部互连结构,该器件还表现出较低的寄生参数,有助于提高高频工作的稳定性与一致性。
  作为一款高性能双晶体管阵列,2DB1184Q-13在PCB布板时可显著减少占用面积,同时简化匹配设计,尤其适用于多通道信号调理模块或需要对称电路结构的设计场景。其共射极配置下的直流电流增益(hFE)典型值较高,能够在微弱输入信号下实现有效放大,适用于前置放大器或缓冲级应用。同时,该器件支持并联使用以增强输出驱动能力,进一步拓展了其在负载驱动类应用中的适用性。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档,便于工程师进行精确建模和仿真分析,确保电路设计的准确性与可重复性。

参数

型号:2DB1184Q-13
  类型:双NPN晶体管阵列
  封装:SOT-26
  极性:NPN
  集电极-发射极击穿电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):70V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极连续电流(IC):100mA
  峰值集电极电流(ICM):200mA
  功耗(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):100 ~ 600(典型值300)
  过渡频率(fT):150MHz
  工作结温(Tj):-55°C ~ +150°C
  存储温度(Tstg):-55°C ~ +150°C
  引脚数:6
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

2DB1184Q-13的核心优势在于其高度集成化的双NPN晶体管结构,使得它在需要多个晶体管协同工作的电路中表现出卓越的空间效率和电气匹配性。两个晶体管共享相同的材料工艺与制造批次,因此在增益、阈值电压及温度漂移等方面具有优异的一致性,特别适合差分放大器、推挽输出级或镜像电流源等对匹配精度要求较高的模拟电路应用。这种内在匹配特性不仅提升了电路的线性度与稳定性,也减少了因器件离散性带来的调试难度和生产良率问题。此外,SOT-26超小型封装极大地节省了PCB空间,适用于智能手机、可穿戴设备、便携式医疗仪器等对体积敏感的产品领域。该封装还具备良好的热传导性能,在正常工作条件下无需额外散热措施即可满足大多数应用场景的需求。
  该器件的过渡频率高达150MHz,表明其具备较强的高频响应能力,可用于中频信号放大或高速开关操作,如PWM信号调理、数字脉冲整形等。结合其较高的直流电流增益(典型值300),即使在基极驱动电流较小的情况下也能实现有效的集电极电流控制,有利于降低前级驱动电路的负载压力,提升整体能效。其最大集电极电流为100mA,足以驱动小型继电器、指示灯LED或多路逻辑门电路,是一种理想的中低功率开关解决方案。此外,器件的击穿电压指标适中,兼顾了安全裕量与低功耗设计需求,适用于5V、12V或24V供电系统中的信号隔离与电平转换任务。所有电气参数均在严格的质量控制体系下测试验证,确保产品在整个生命周期内保持稳定的性能表现。制造商还提供AEC-Q101车规认证版本选项,拓展了其在汽车电子领域的应用潜力。

应用

2DB1184Q-13广泛应用于各类消费类电子、工业控制与通信设备中。典型应用场景包括音频前置放大电路,其中利用其高增益和良好线性特性对微弱声音信号进行初步放大;在LED驱动电路中,作为恒流源或开关元件控制发光强度与时序;在传感器信号调理模块中,用于将微弱感应信号转换为标准电平输出,提高抗干扰能力。此外,该器件常用于数字逻辑电平转换,例如将3.3V MCU信号转换为5V TTL电平以兼容外围芯片,实现跨电压域通信。在电源管理单元中,也可作为使能控制开关,用于开启或关闭特定功能模块以实现节能待机模式。其双晶体管结构特别适用于构建达林顿对管配置,以获得更高的电流增益,从而驱动更大负载。在便携式设备如智能手表、无线耳机和健康监测仪中,该器件因其小型化与低功耗特性而备受青睐。另外,在汽车电子系统中,可用于车身控制模块(BCM)、车内照明驱动或传感器接口电路,配合MCU完成各类自动化控制任务。其工业级温度范围也使其适用于户外设备、工业传感器节点和远程监控终端等严苛环境下的长期运行。

替代型号

MMBT2907ALT1G
  FMMT718
  DTC114EKA

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2DB1184Q-13参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流3 A
  • 配置Single
  • 最大工作频率110 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散15000 mW
  • 工厂包装数量2500