时间：2025/12/26 10:29:13
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2DA1971-7是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。其封装形式为DPAK（TO-252），是一种常见的表面贴装功率封装，具有良好的散热性能和机械可靠性，适用于中等功率级别的应用。2DA1971-7的额定电压为600V，表明其适合用于高压系统中作为主开关元件，例如在AC-DC适配器、照明电源、工业控制电源等设备中发挥关键作用。该MOSFET设计注重能效优化，在高频操作下仍能保持较低的开关损耗和传导损耗，有助于提升整体系统效率并减少对额外散热措施的需求。
型号：2DA1971-7
制造商：STMicroelectronics
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600 V
最大连续漏极电流（ID）：7 A（在TC=25°C）
最大脉冲漏极电流（IDM）：28 A
最大栅源电压（VGS）：±30 V
导通电阻RDS(on)：典型值0.45 Ω，最大值0.55 Ω（在VGS=10V，ID=3.5A条件下）
栅极电荷（Qg）：典型值47 nC（在VDS=500V，ID=7A，VGS=10V）
输入电容（Ciss）：典型值1100 pF
输出电容（Coss）：典型值400 pF
反向恢复时间（trr）：典型值45 ns
二极管正向电压（VSD）：1.3 V（在IS=0.5A）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：DPAK (TO-252)
2DA1971-7的核心优势在于其优异的导通与开关性能结合，使其成为中高功率开关电源设计中的理想选择。该器件采用先进的超级结结构与沟道优化设计，在保证600V高耐压的同时实现了低至0.55Ω的最大导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性对于需要长时间运行或追求高效率的应用尤为重要，如服务器电源、光伏逆变器和LED驱动电源等。此外，其相对较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）使得驱动电路更容易设计，减少了驱动功耗，并支持更高的开关频率，有利于缩小磁性元件和滤波器的体积，实现小型化电源设计。
另一个关键特性是其出色的动态性能和雪崩能量承受能力。2DA1971-7经过严格测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，意味着它可以在意外过压或负载突变情况下承受一定程度的能量冲击而不发生损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约45ns），可有效降低在桥式拓扑或续流路径中的反向恢复损耗，避免因二极管拖尾电流引发的额外开关应力和电磁干扰问题。
从热管理和可靠性角度看，DPAK封装提供了优良的热传导路径，通过PCB上的铜箔即可实现有效的散热，无需复杂的散热结构。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗湿性和长期稳定性，适用于工业级环境下的持续运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也确保了在极端温度条件下的可靠工作，满足多种严苛应用场景的需求。
2DA1971-7主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括离线式反激变换器、正激变换器、有源箝位正激、LLC谐振转换器以及PFC（功率因数校正）升压级电路。由于其600V的额定电压，特别适合用于通用输入（85–265V AC）的AC-DC电源适配器、充电器、工业电源模块和电信整流器等设备中作为主开关管使用。在照明领域，该器件可用于大功率LED驱动电源，尤其是在恒流输出拓扑中提供高效稳定的能量转换。此外，它也可用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、电机控制板以及家用电器中的功率控制单元。凭借其良好的开关特性和热性能，2DA1971-7能够帮助工程师设计出更高效率、更紧凑且更具成本效益的电源解决方案。
STP6NK60ZFP, STP7NC60WD, FQP6N60C, IRFBG60
