型号：29F800B-90PFTN
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16 位
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP
　　接口类型：并行（x16）
　　写入耐久性：典型10万次擦写周期
　　数据保持时间：10年（最小）
　　编程方式：在系统编程（ISP）
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　供电电流：读取模式下典型值为30mA
　　待机电流：≤100μA
　　输入/输出电平：CMOS/TTL 兼容

29F800B-90PFTN 具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，其90ns的快速访问时间确保了高效的指令执行能力，尤其适用于需要直接从Flash运行代码（XIP, eXecute In Place）的系统架构中。这种性能优势使得CPU可以直接从Flash读取指令而无需先加载到RAM，从而简化系统设计并降低整体成本。其次，该芯片支持灵活的扇区架构，允许用户按需擦除特定区域的数据，而不影响其他部分的内容，这对于固件更新或配置信息管理非常有利。29F800B系列内置软件控制的数据保护机制，通过特定命令序列激活写保护功能，有效防止意外写入或擦除操作，极大增强了系统在复杂电磁环境或电源波动情况下的可靠性。
　　此外，该器件采用低功耗CMOS工艺，在待机模式下电流消耗极低（≤100μA），非常适合电池供电或绿色节能型设备。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）也使其适用于严苛的工业和汽车级应用场景。物理封装方面，48引脚TSOP具有良好的散热性和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。值得一提的是，29F800B-90PFTN 支持工业标准命令集（如Common Flash Interface, CFI），便于不同厂商之间的替换与调试工具的支持。虽然随着串行接口Flash的普及，这类并行NOR Flash在新设计中使用减少，但其成熟的技术、稳定的供货历史以及广泛的开发支持资源，仍使其成为许多传统系统维护和升级项目的首选方案。

29F800B-90PFTN 广泛应用于多种需要可靠、快速启动和稳定运行的嵌入式系统中。一个典型的应用领域是工业控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，这些设备依赖于稳定的固件存储以实现长时间无人值守运行。在网络通信设备中，如路由器、交换机和DSL调制解调器，该芯片常用于存储启动引导程序（Bootloader）和基本操作系统映像，确保设备上电后能迅速初始化硬件并进入正常工作状态。在消费类电子产品中，包括机顶盒、打印机、数码相机和家用安防设备，29F800B-90PFTN 提供了一种经济高效的代码存储解决方案。此外，汽车电子系统中的仪表盘控制单元、车载娱乐系统和ECU（电子控制单元）也曾广泛采用此类并行NOR Flash进行程序存储。由于其支持XIP（就地执行）模式，系统可以省去额外的大容量RAM，直接在Flash中运行初始化代码，显著降低了系统复杂度和物料成本。在医疗设备、测试仪器和航空电子设备等对数据完整性和长期稳定性要求较高的领域，该芯片的高可靠性与长达10年的数据保持能力也使其成为值得信赖的选择。尽管目前主流趋势转向SPI/QPI接口的小尺寸Flash，但29F800B-90PFTN 在现有设备维护、备件替换和技术升级项目中依然发挥着重要作用。

SST39VF800A-70-4C-PHE-T
　　AM29LV800DB-90EC
　　M29W800DB-70G6
　　EN29LV800AT-90TIB