B9507 时间：2025/12/27 12:47:53 阅读：22

B9507是一款由韩国三星（Samsung）公司生产的P沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电池保护电路以及负载开关等低电压、中等电流的开关场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。B9507特别适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他需要高效能电源控制的系统中。其封装形式通常为SOT-23或SOT-323小型表面贴装封装，便于在空间受限的应用中实现紧凑布局。由于其P沟道特性，B9507在栅极为低电平时导通，适合用于高端开关配置，在电池供电系统中可有效控制电源路径，防止反向电流流动，提升系统安全性与能效。此外，该器件具备良好的抗静电能力（ESD protection），能够在一定程度上抵御生产或使用过程中可能遇到的静电冲击，提高了产品在实际应用中的可靠性。

参数

型号：B9507
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.1A（@ VGS = -10V）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：580pF（@ VDS = 15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

B9507的核心优势之一在于其低导通电阻（RDS(on)），在VGS = -10V时仅为45mΩ，而在较低的驱动电压VGS = -4.5V下也能保持60mΩ的优异表现。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体效率，尤其适用于对功耗敏感的移动设备。得益于先进的沟槽栅极工艺，B9507在实现低RDS(on)的同时还具备快速的开关响应能力，使其能够胜任高频开关应用，减少开关过程中的能量损耗。
　　该器件的P沟道结构使其在高端开关应用中表现出色。例如，在电池供电系统中，B9507可用于控制电源的接通与断开，当栅极为低电平时MOSFET导通，允许电流从源极流向漏极；当栅极为高电平时截止，阻断电流路径。这种控制方式简化了驱动电路设计，无需额外的电荷泵或电平移位器即可直接由逻辑信号控制，从而降低了系统复杂性和成本。
　　B9507还具备良好的热性能和稳定性，能够在高达+150°C的结温下可靠工作，确保在高负载或高温环境下仍能维持正常功能。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且具有较低的热阻，有助于热量的有效散发。此外，器件内置一定的ESD保护机制，增强了在装配和使用过程中的抗干扰能力，减少了因静电导致的早期失效风险。
　　总体而言，B9507凭借其低导通电阻、高可靠性、小尺寸和易于驱动等优点，成为众多消费类电子产品中理想的功率开关解决方案，尤其适合用于电池保护IC、DC-DC转换器、负载开关、电源多路复用器等应用场景。

应用

B9507常用于便携式电子设备中的电源管理单元，例如作为电池充放电路径的控制开关，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。它也广泛应用于DC-DC转换器的同步整流或输入端开关控制，提升转换效率。此外，在主板上的电源序列控制、外设供电使能、热插拔电路以及各类需要高端P沟道开关的场景中均有应用。由于其SOT-23封装体积小巧，非常适合高密度布局的移动终端产品设计。