存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2 x 8 Mbit 或 2 x 1 Mbyte
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP 或 48-ball BGA
　　接口类型：并行（x8/x16 模式）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件 WP 引脚支持
　　总线宽度：可配置为 8 位或 16 位

29F160BE-90EC 的核心特性之一是其StrataFlash多层存储技术，该技术允许每个存储单元存储多个比特的信息，从而在相同的硅片面积上实现更高的存储密度。相比传统的NOR Flash，这种设计不仅降低了每比特的成本，还提升了整体性能和能效。该技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力和NAND Flash的高密度优势，使其特别适合代码执行（XIP, eXecute In Place）和数据存储双重用途的应用场景。
　　该芯片支持灵活的扇区架构，通常划分为多个大小不同的块（block），便于对固件进行局部更新而不影响其他区域的数据完整性。例如，它可以将启动代码存放在受保护的小扇区中，而将应用数据存放在较大的可擦写区域。此外，内置的命令集支持标准JEDEC指令，兼容广泛使用的编程器和调试工具，简化了开发流程。
　　为了提高系统可靠性，29F160BE-90EC 集成了错误检测与纠正（ECC）机制，在读取过程中能够识别并修正单比特错误，防止因辐射或老化引起的软错误导致系统崩溃。同时，它具备掉电保护功能，在电源异常中断时能确保正在进行的写操作不会损坏存储内容。硬件写保护引脚（WP#）可防止意外写入或擦除关键数据，增强了系统的安全性。
　　该器件还支持多种省电模式，包括自动进入低功耗待机状态，当总线处于空闲时有效降低静态电流消耗。这对于便携式医疗设备、远程监控终端等依赖电池长时间运行的系统尤为重要。其高抗干扰能力和宽温工作范围也使其在工业自动化、车载电子和电信基础设施中表现出色。

29F160BE-90EC 广泛用于各类嵌入式系统中，尤其是在需要直接从闪存执行代码且对可靠性和稳定性要求较高的场合。典型应用包括工业控制设备中的PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端以及远程I/O模块，这些设备通常需要在恶劣环境下长期稳定运行，并频繁进行固件升级。
　　在网络与通信领域，该芯片常被用作路由器、交换机和基站控制器的启动程序（Bootloader）存储器，因其快速启动特性和高耐久性，可确保设备每次上电都能可靠加载操作系统内核。此外，在消费类电子产品如打印机、POS机和智能家电中，29F160BE-90EC 用于存放操作系统、用户界面资源和配置参数，支持快速响应和频繁的数据更新。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载信息娱乐系统（IVI），满足AEC-Q100相关可靠性标准的部分要求（需确认具体版本）。医疗设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，也采用此类闪存来存储校准数据、操作日志和应用程序代码，确保数据安全与合规性。
　　由于其并行接口提供了较高的数据吞吐率，29F160BE-90EC 特别适合微处理器或DSP直接挂载在系统总线上运行程序，避免了SPI或QSPI接口在高速执行时可能出现的带宽瓶颈。因此，在实时性要求高的控制系统中，它是理想的非易失性存储解决方案。

S29GL128P-90
　　S29GL256P-90
　　MT28EW160ABA-90
　　IS29LP160C-90