28F800C3BA90 时间：2025/12/26 16:16:10 阅读：10

28F800C3BA90是一款由英特尔（Intel）公司生产的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的一员。该芯片采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特的数据，从而提高存储密度并降低单位成本。28F800C3BA90的存储容量为8 Mbit（即1MB），组织形式为512K x 16位，适合用于需要非易失性程序或数据存储的应用场景。这款器件主要面向工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品等对可靠性与持久性有较高要求的领域。
　　该芯片支持标准的CE（Chip Enable）、OE（Output Enable）和WE（Write Enable）控制信号，兼容通用的微处理器和微控制器总线时序，便于集成到现有系统中。其工作电压通常为3.0V至3.6V，具备低功耗特性，支持多种省电模式，如待机模式和深度掉电模式，有助于延长电池供电设备的工作时间。此外，28F800C3BA90具备良好的温度适应能力，可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定运行，确保在恶劣环境下的数据完整性和系统稳定性。

参数

型号：28F800C3BA90
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16
　　接口类型：并行
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP56
　　读取访问时间：90ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区/块擦除
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　总线宽度：16位
　　时序模式：异步操作

特性

28F800C3BA90具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术，结合了NOR Flash的快速随机访问能力和多级存储单元的高密度优势，实现了性能与成本之间的良好平衡。这种技术允许每个存储单元存储两个比特的信息，显著提升了存储效率，同时保持了NOR Flash固有的字节级寻址能力和执行就地执行（XIP, eXecute In Place）的能力，使得微控制器可以直接从闪存中运行代码而无需将其加载到RAM中，极大提高了系统响应速度并节省内存资源。
　　其次，28F800C3BA90具有高度可靠的耐久性和数据保持能力。典型情况下，该器件可支持多达10万次的编程/擦除周期，远高于许多同类产品，适用于频繁更新配置参数或日志记录的应用场合。数据保存时间可达10年以上，在断电状态下仍能可靠保留信息。此外，芯片内置错误检测机制和智能编程算法，能够有效防止误写入和数据损坏，并通过内部电荷泵提供编程所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统设计。
　　再者，该器件提供了灵活的扇区架构，支持按扇区或整片擦除操作，最小擦除单元通常为64KB或更小，允许精细管理存储空间。它还集成了硬件写保护功能，通过WP引脚实现对关键区域的物理级保护，防止意外修改或恶意篡改，增强了系统的安全性。所有操作均符合标准JEDEC并口时序规范，兼容广泛使用的MPU和MCU接口，降低了开发难度和移植成本。最后，TSOP56小型化封装有利于节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。

应用

28F800C3BA90广泛应用于各类需要可靠、高速非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程I/O模块，这些系统依赖于稳定的启动代码和运行参数存储。在通信基础设施领域，该芯片常用于路由器、交换机、基站控制器等设备中，用于存放引导程序（Bootloader）、配置文件及网络协议栈代码，确保设备上电后能快速初始化并进入工作状态。
　　此外，消费类电子产品如数字电视、机顶盒、打印机、多功能一体机等也采用此类并行NOR Flash作为主程序存储器，因其具备快速启动和直接执行代码的优势，能够显著缩短设备开机时间，提升用户体验。在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像系统等，28F800C3BA90可用于存储校准数据、操作日志和诊断软件，其宽温特性和长期数据保持能力保证了设备在不同环境下的稳定运行。
　　汽车电子方面，尽管当前趋势转向更高集成度的SPI NOR或eMMC方案，但在部分老一代车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制单元或车身控制模块（BCM）中仍可见到该型号的应用。此外，测试测量仪器、POS终端、安防监控设备等对数据完整性要求较高的行业设备也普遍使用该类闪存芯片。得益于其成熟的生态系统和广泛的配套工具支持，工程师可以方便地进行编程、调试和批量烧录，进一步推动了其在多领域的普及应用。