型号：28F010-150
　　制造商：Intel
　　存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　存储器类型：NOR Flash
　　供电电压：5V ± 10%
　　访问时间：150 ns
　　封装形式：32-pin PLCC, 32-pin DIP, 32-pin TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　写保护功能：有（通过特定命令序列或引脚控制）
　　擦除方式：扇区擦除或整片擦除
　　编程方式：按字节编程
　　耐久性：典型值为10万次擦写周期
　　数据保持时间：大于10年

28F010-150 的核心特性之一是其基于NOR架构的闪存设计，这种结构允许对存储单元进行快速的随机访问，特别适合执行代码（XIP，eXecute In Place）的应用场景。这意味着处理器可以直接从该闪存芯片中读取并执行程序指令，而无需先将代码加载到RAM中，从而简化了系统设计并降低了成本。该芯片内置电荷泵电路，能够在编程和擦除操作期间自动生成所需的高电压（通常约为12V），因此不需要外部提供额外的编程电压，极大地提升了系统的集成度和使用的便捷性。
　　另一个重要特性是其支持扇区级别的擦除操作。28F010-150 将整个1MB的存储空间划分为多个可独立擦除的扇区（sector），这使得用户可以有针对性地更新部分固件内容而不影响其他区域的数据，提高了数据管理的灵活性和可靠性。此外，芯片提供了硬件和软件写保护机制，防止因意外写入或误操作导致关键数据丢失。例如，通过设置特定的控制引脚状态或发送专用的锁定命令序列，可以锁定某些或全部存储区域，确保其内容不会被修改。
　　该器件还具备良好的环境适应性和长期数据保持能力。在正常工作条件下，写入的数据可稳定保存超过10年，并能承受至少10万次的擦写循环，满足大多数工业和商用应用的需求。虽然其读取性能优秀，但由于NOR闪存本身的物理限制，写入和擦除速度相较于现代NAND闪存较慢，且单位容量成本较高，因此主要用于小容量、高可靠性的固件存储场合。此外，28F010-150 提供多种常用封装形式（如PLCC、DIP、TSOP），便于在不同PCB布局和焊接工艺中灵活选用，增强了其在各类电子设备中的适用性。

28F010-150 广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统和工业电子设备中。一个典型的应用场景是作为计算机主板或其他设备的BIOS（基本输入输出系统）存储器。由于其支持XIP（就地执行）功能，CPU可以直接从中读取启动代码并开始运行，无需额外复制到RAM，从而加快系统启动过程并减少对内存资源的占用。这类用途常见于上世纪90年代至2000年代初的台式机、工控机和服务器系统中。
　　在工业控制领域，该芯片常用于存储PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、远程终端单元（RTU）等设备的固件程序。这些应用对数据的长期稳定性和抗干扰能力要求较高，而28F010-150 的高可靠性和成熟的制造工艺正好满足此类需求。同时，其并行接口能够与多种主流微控制器（如8051、68HC11、ARM7等）无缝对接，简化了硬件设计。
　　通信设备也是其重要应用方向之一，例如早期的调制解调器、网络交换机、路由器和无线基站模块，均可能采用该芯片来存储配置参数、引导程序或操作系统映像。此外，在汽车电子、医疗仪器、测试测量设备等领域，也有使用该型号进行固件存储的案例。尽管目前已被更高密度、更低功耗的新型闪存所取代，但在设备维修、备件替换或维持旧系统兼容性的场景下，28F010-150 仍然具有现实意义。

SST39SF010A-150
　　M29F010B-150
　　AM29F010B-150