26NM60N 时间：2025/7/23 12:06:07 阅读：10

26NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机控制、电池管理系统以及工业自动化等高功率场景。该器件采用TO-220AB封装，具备良好的热稳定性和电气性能，适用于中高功率的开关应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：26A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω（最大值，典型值可能更低）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功耗（PD）：200W

特性

26NM60N具有低导通电阻的特性，使其在导通状态下损耗较小，从而提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于多种高压应用，如AC/DC电源转换器、马达驱动和照明系统。
　　此外，26NM60N具备良好的热性能，TO-220AB封装设计有助于散热，确保在高负载条件下仍能稳定工作。其高栅极电压容限（±30V）也增强了抗干扰能力，降低了因过电压导致损坏的风险。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，减少开关损耗并提高系统响应速度。同时，其耐用性和稳定性也使其在恶劣工作环境下表现出色。

应用

26NM60N常用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机控制模块、不间断电源（UPS）、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。
　　在电源管理应用中，该器件可作为主开关元件，用于DC/DC和AC/DC转换器，实现高效的能量转换。在电机控制中，它可用于H桥驱动或PWM控制，实现精确的速度和扭矩调节。
　　此外，26NM60N也适用于LED照明驱动、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等新能源领域，满足高效率和高可靠性的需求。