时间：2025/12/28 17:02:29
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2628N65FAB是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频率的开关应用。该器件具有较高的耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类电力电子设备中。该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A（在25℃时）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω
封装类型：TO-220
2628N65FAB具有优异的导通性能和低导通电阻，这使其在高功率应用中能够有效降低导通损耗。该器件的高耐压能力（650V）适用于多种中高压应用环境。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，也便于安装在散热片上，以确保在高负载条件下的稳定性。
此外，该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关电路，有助于提高整体系统的效率。其栅极驱动特性相对稳定，能够在较宽的温度范围内保持性能的一致性。内置的寄生二极管也提供了反向电流保护功能，增强了系统的可靠性。
这款MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在极端工作条件下保持安全运行。因此，它广泛应用于工业电源、光伏逆变器、LED驱动电源以及电动工具等设备中。
2628N65FAB常用于各类电力电子设备中的开关控制，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及家用电器中的功率控制模块。此外，它也适用于需要高耐压和较高效率的开关电源设计。
2638N65FAG, FQA8N65, IRF8N65, STF8NM65N
