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25TWL10M5X7 发布时间 时间:2025/9/8 0:22:12 查看 阅读:6

25TWL10M5X7 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效能的电源转换应用。这款MOSFET是N沟道类型,设计用于高电流、低电压的应用场景,例如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等。该器件采用先进的TrenchFET技术,提供极低的导通电阻和高效的开关性能。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大漏极电流(ID):25A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(PD):170W

特性

25TWL10M5X7 MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,使其具有极低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有高电流处理能力和优异的热性能,能够在高负载条件下稳定工作。
  其高栅极电荷(Qg)值意味着在开关过程中需要较大的驱动电流,但同时也提供了更稳定的开关性能,适用于高频开关应用。该器件的封装设计(TO-220)具有良好的散热性能,能够在高温环境下长时间运行。
  此外,25TWL10M5X7还具备优异的短路耐受能力,适合用于需要高可靠性的电源系统中。其宽广的工作温度范围也使其适用于恶劣环境条件下的应用。

应用

该MOSFET广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中,例如:
  ? DC-DC转换器:用于提高或降低电压,适用于电源适配器、电池充电器等
  ? 电机驱动器:用于控制电机的速度和方向
  ? 负载开关:用于控制电源的通断,适用于便携式电子设备
  ? 电源管理单元(PMU):用于优化电源使用,提高系统能效
  ? 高效服务器和电信设备电源系统:用于提高系统稳定性和能效
  ? 汽车电子系统:如车载充电器、电动助力转向系统等

替代型号

SiHH25N100DD, FDP25N10, IRF2807PBF

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