时间：2025/6/6 10:13:24
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25SVPF180M是一款高性能的硅基功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用N沟道增强型技术，能够在高电压和大电流条件下提供卓越的性能表现。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性，适合用于开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。
该器件通常封装在TO-247或TO-220封装中，具体取决于制造商的设计要求。通过优化的芯片设计和封装技术，25SVPF180M能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：25A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：12nC
开关时间：ton=35ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
25SVPF180M具有以下关键特性：
1. 高效的低导通电阻设计，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 热稳定性强，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
4. 提供强大的过流保护和抗静电能力，增强了系统的安全性。
5. 支持表面贴装和通孔安装两种形式，便于不同类型的PCB设计需求。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
5. 汽车电子系统，如电动车窗、座椅加热等功能模块的电源管理。
IRF2807,
STP25NF06,
FDP039N06L
