25P80VG 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的技术,具备低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力,适用于高效能的开关应用。25P80VG 采用 TO-220 封装形式,适合插入式安装,具备良好的散热性能。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds:800V
栅源电压 Vgs:±30V
漏极电流 Id:25A(25°C)
导通电阻 Rds(on):典型值 0.22Ω(最大值 0.28Ω)
功率耗散:125W(Tc)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
25P80VG MOSFET 具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件的漏源电压额定值为 800V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换器和马达控制应用。
其次,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,可在 ±30V 内稳定工作,增强了其在不同驱动电路中的兼容性。同时,25A 的连续漏极电流能力使其适用于高电流负载的场合,如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和照明系统。
TO-220 封装提供了良好的散热能力,确保器件在高功耗下仍能保持稳定工作温度。此外,25P80VG 具备出色的短路和过载保护能力,有助于提高系统的可靠性和稳定性。
该器件的封装设计符合 RoHS 标准,适用于环保型电子产品设计。其高可靠性和稳定性使其成为工业电源、消费类电子产品和照明驱动器中的理想选择。
25P80VG 广泛应用于多种电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、LED 照明驱动器、马达控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和大电流能力,该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和高可靠性的高压功率转换系统。
在开关电源设计中,25P80VG 可用于主开关管或同步整流器,提升整体转换效率。在 LED 驱动器中,它可作为恒流控制开关,实现高效能的照明解决方案。此外,在马达控制应用中,该器件可作为功率开关,实现对直流马达或步进马达的精确控制。
该器件还常用于电池管理系统、太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和家用电器中的功率控制部分。由于其良好的热稳定性和过载保护能力,25P80VG 也适合用于对系统可靠性要求较高的工业自动化控制设备中。
25P80VQ, IRF840, FQA24N80, STF25N80K5