型号：25N65
　　封装类型：TO-247
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：650V
　　连续漏极电流(ID)：25A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：100A
　　功耗(Pd)：300W
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω @ VGS=10V, ID=12.5A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　栅极阈值电压(Vth)：3.0V ~ 5.0V
　　输入电容(Ciss)：3300pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：920pF @ VDS=25V
　　反向传输电容(Crss)：140pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间(Td(on))：25ns
　　关断延迟时间(Td(off))：85ns

25N65的核心特性之一是其高击穿电压与低导通电阻的优化组合，这使得它在650V的应用场景中能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。其最大漏源电压可达650V，能够满足大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的PFC（功率因数校正）和主开关管应用。该器件的Rds(on)典型值为0.22Ω，在VGS=10V条件下可支持高达25A的连续漏极电流，适合中高功率等级的应用。此外，得益于TO-247封装的优异散热能力，25N65可以在较高环境温度下持续工作，提升了系统的可靠性。
　　另一个重要特性是其良好的开关性能。25N65具有较低的输入、输出和反向传输电容，这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较小，有助于减少驱动电路的负担并降低开关损耗。其开启延迟时间和关断延迟时间分别为25ns和85ns，配合快速的上升和下降时间，使该器件适用于数十kHz至数百kHz的开关频率范围。同时，较低的Crss（反向传输电容）也改善了器件的噪声抑制能力和抗干扰性能，减少了因寄生反馈引起的误触发风险。
　　25N65还具备较强的热稳定性和抗雪崩能力。其最大结温可达150℃，且在瞬态过压或负载突变情况下表现出较好的鲁棒性。这种耐用性使其在工业级应用中更具优势，特别是在频繁启停或存在电感反冲的电机控制和电源系统中。此外，该MOSFET的栅极氧化层经过特殊工艺处理，能承受±30V的栅源电压，提高了对驱动信号波动的容忍度。综合来看，25N65凭借其高压、大电流、低损耗和高可靠性的特点，成为许多中高端电力电子设计中的优选器件。

25N65广泛应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常作为主开关管用于反激式、正激式、半桥和全桥拓扑结构中，尤其适用于输出功率在200W至1000W之间的工业电源和通信电源设备。由于其650V的耐压能力，25N65非常适合用于通用交流输入（85VAC~265VAC）的离线式电源设计，能够应对整流后约400V的母线电压，并留有足够的安全裕量。
　　在DC-DC转换器中，25N65可用于高降压比或高升压比的拓扑，例如在光伏逆变器的前级升压电路或电动汽车充电模块中作为功率开关元件。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提升整体能效，满足日益严格的能源效率标准。此外，在电机驱动应用中，25N65可用于中小功率的直流电机或步进电机控制，特别是在H桥或推挽式驱动电路中作为高速开关使用，实现精确的速度和转矩调节。
　　照明领域也是25N65的重要应用场景之一，尤其是在高强度放电灯（HID）镇流器和LED驱动电源中。在这些应用中，MOSFET需要承受较高的电压应力并进行高频切换，而25N65的高压特性和良好开关性能正好满足这些要求。此外，它还可用于不间断电源（UPS）、逆变器、感应加热设备和电焊机等工业设备中，作为核心的功率开关器件。总之，25N65凭借其出色的电气参数和稳定的性能表现，已成为多种中高功率电源与控制系统中的关键组件。

K25T65, FQPF25N65C, STGF25N65DM2, IRFGB40